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問ACT FAE

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164072739.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
請看上面的圖片.我有實際測量過,工作的時候Va約30V,Vb約550V,Vb-Va得到的值還是大與三極管的Vce的電壓,你們所說的能成立嗎?
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从心开始
LV.7
2
2006-11-21 09:42
朋友好好看看ACT30的DATESHEET,此电路的控制模式是射极驱动,真正承受高压的是三极管的CB极,你在看看13003的Vcbo是多少,我相信你会得到答案了.
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tkwz2000
LV.3
3
2006-11-21 09:45
@从心开始
朋友好好看看ACT30的DATESHEET,此电路的控制模式是射极驱动,真正承受高压的是三极管的CB极,你在看看13003的Vcbo是多少,我相信你会得到答案了.
你說的射極軀動,難倒Vce之間就不用承受耐壓嗎?
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从心开始
LV.7
4
2006-11-21 10:22
@tkwz2000
你說的射極軀動,難倒Vce之間就不用承受耐壓嗎?
开关信号是加在射极的,你说要承受高压吗?关断的时候射极是悬空的
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tkwz2000
LV.3
5
2006-11-21 10:32
@从心开始
开关信号是加在射极的,你说要承受高压吗?关断的时候射极是悬空的
不是開關信號加在射極吧,應該是控制你們IC內部的集成MOS.
當開關管(13003)導通時,主回路的電流和電壓都是通過它的,不知道我理解的是否正確????
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gjhsz
LV.5
6
2006-11-21 10:41
@tkwz2000
不是開關信號加在射極吧,應該是控制你們IC內部的集成MOS.當開關管(13003)導通時,主回路的電流和電壓都是通過它的,不知道我理解的是否正確????
同意,关断时耐压问题容易理解,但是开通时呢?
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philips
LV.8
7
2006-11-21 11:29
@gjhsz
同意,关断时耐压问题容易理解,但是开通时呢?
我来说两句!13003开通时VCE电压绝大部分转移到NP上了!所以VCE不承受高压!ACT30由于接在13003发射极!因为射极跟随基极电压(VE=VB-0.7V)ACT30也不承受高压!
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tkwz2000
LV.3
8
2006-11-21 11:35
@philips
我来说两句!13003开通时VCE电压绝大部分转移到NP上了!所以VCE不承受高压!ACT30由于接在13003发射极!因为射极跟随基极电压(VE=VB-0.7V)ACT30也不承受高压!
你說的 NP是指TR初級線圈嗎?
根據我實際測試,,請看上面的圖,為撒Vb有550V???
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philips
LV.8
9
2006-11-21 11:46
@tkwz2000
你說的NP是指TR初級線圈嗎?根據我實際測試,,請看上面的圖,為撒Vb有550V???
是初级线圈!关断时13003的C极有550V那是正常的!但你所测得的电压值是13003 C极与B极所承受的电压!因为ATC34关断时,E极类似开路!
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tkwz2000
LV.3
10
2006-11-21 11:50
@philips
是初级线圈!关断时13003的C极有550V那是正常的!但你所测得的电压值是13003C极与B极所承受的电压!因为ATC34关断时,E极类似开路!
上面圖中有我取樣點標注,  Va的值,,也就是IC內置MOS的值約是30V,,測試應該沒問題
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gjhsz
LV.5
11
2006-11-21 11:56
@philips
我来说两句!13003开通时VCE电压绝大部分转移到NP上了!所以VCE不承受高压!ACT30由于接在13003发射极!因为射极跟随基极电压(VE=VB-0.7V)ACT30也不承受高压!
开通时应和普通的RCC电路承受一样的应力.
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philips
LV.8
12
2006-11-21 11:57
@tkwz2000
上面圖中有我取樣點標注,  Va的值,,也就是IC內置MOS的值約是30V,,測試應該沒問題
你再看看第9贴
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philips
LV.8
13
2006-11-21 12:04
@gjhsz
开通时应和普通的RCC电路承受一样的应力.
开通时管子不受电压应力!
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tkwz2000
LV.3
14
2006-11-21 12:16
@philips
你再看看第9贴
內容改了?
我的測試點明明就是測試Vce之間的電壓,其中包蛞了IC內MOS的電壓,
如果E極開路,,我能測到電壓值嗎??500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164082523.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
圖中是按照你說的測試點
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tkwz2000
LV.3
15
2006-11-21 12:17
@philips
开通时管子不受电压应力!
那我測試的550V,從何解釋?
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philips
LV.8
16
2006-11-21 14:57
@tkwz2000
內容改了?我的測試點明明就是測試Vce之間的電壓,其中包蛞了IC內MOS的電壓,如果E極開路,,我能測到電壓值嗎??[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164082523.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">圖中是按照你說的測試點
可能是本人的表达能力太有限!这次如果楼主还不明白就不要怪本人不回贴了!500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图，点击可放大。\n按住CTRL，滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164092260.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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hammer
LV.5
17
2006-11-21 23:35
@philips
开通时管子不受电压应力!
导通前瞬间,C极500多伏,电压不可能突变,所以,三极管在开通时,VCE经历500多伏电压的过程,对不对?
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wanglongxiang
LV.5
18
2006-11-22 10:45
不好意思,打下广告
大家好,我是深圳ACT的代理,如有样品和技术方面的问题可以和我联系
联系人:王SIR
QQ:185778473
电话;13480790416
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hammer
LV.5
19
2006-11-22 11:36
@wanglongxiang
不好意思,打下广告大家好,我是深圳ACT的代理,如有样品和技术方面的问题可以和我联系联系人:王SIRQQ:185778473电话;13480790416
SB
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philips
LV.8
20
2006-11-22 18:48
@hammer
导通前瞬间,C极500多伏,电压不可能突变,所以,三极管在开通时,VCE经历500多伏电压的过程,对不对?
你说VCE经历500多伏那是必然的!与导通瞬间的下降沿有关,如果下降沿不够陡!管子只存在电压与电流迭加,造成开关损耗!关断时电压从有到无是很短的!如果只算的下降到400V时的时间那更短!P秒级的!
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hammer
LV.5
21
2006-11-22 18:56
@philips
你说VCE经历500多伏那是必然的!与导通瞬间的下降沿有关,如果下降沿不够陡!管子只存在电压与电流迭加,造成开关损耗!关断时电压从有到无是很短的!如果只算的下降到400V时的时间那更短!P秒级的!
在VCE经历500多伏时,三极管BE结正偏,三极管耐压应该是VCEO,所以,存在被击穿的危险,呵呵,请问,实际中为什么没有损害?
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philips
LV.8
22
2006-11-22 19:30
@hammer
在VCE经历500多伏时,三极管BE结正偏,三极管耐压应该是VCEO,所以,存在被击穿的危险,呵呵,请问,实际中为什么没有损害?
顶多是一次击穿!时间很短,没机会产生二次击穿!
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hammer
LV.5
23
2006-11-22 21:26
@philips
顶多是一次击穿!时间很短,没机会产生二次击穿!
呵呵,有可能是这样.
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philips
LV.8
24
2006-11-23 09:48
@hammer
呵呵,有可能是这样.
依您之见呢?如有不对,请指出!
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tkwz2000
LV.3
25
2006-11-23 10:12
@hammer
在VCE经历500多伏时,三极管BE结正偏,三极管耐压应该是VCEO,所以,存在被击穿的危险,呵呵,请问,实际中为什么没有损害?
這也是我所擔心的地方,在導通時,開關管開通的時間是Ton,也許會更長些.在開通的瞬間,還會有個衝擊峰值,加起來可能會到650v,這個值足以讓13003損壞.
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jerome
LV.8
26
2006-11-23 10:35
@hammer
在VCE经历500多伏时,三极管BE结正偏,三极管耐压应该是VCEO,所以,存在被击穿的危险,呵呵,请问,实际中为什么没有损害?
我有个疑问,提一下:
你用RCC作基极驱动,当B极由负压转为正压,这个过程同样三极管VCE承受高压,而且导通过程必定比射极驱动慢,因为射极驱动B极每时刻都能提供足够的驱动电流饱和导通,那么为什么你说RCC也不会有问题呢?实际上,我认为,射极驱动导通更快,就算在三极管开通瞬间,三极管也能快速导通到地,因此导通时VCE耐压也不会有问题!不对之处,请指教,谢谢!
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tkwz2000
LV.3
27
2006-11-23 10:48
@jerome
我有个疑问,提一下:你用RCC作基极驱动,当B极由负压转为正压,这个过程同样三极管VCE承受高压,而且导通过程必定比射极驱动慢,因为射极驱动B极每时刻都能提供足够的驱动电流饱和导通,那么为什么你说RCC也不会有问题呢?实际上,我认为,射极驱动导通更快,就算在三极管开通瞬间,三极管也能快速导通到地,因此导通时VCE耐压也不会有问题!不对之处,请指教,谢谢!
在設計b極軀動的rcc電路時,我一般會選用Vce耐壓值為600v的13003.
按照你說的e極軀動,導通時間非常快,但總流過了13003,我也實際測試了Vce和IC內置MOS的電壓值.
的確,你們IC內置MOS大約只有30V,但是Vce卻有550v?
可能我在頂牛角尖,我也只是希望從理論上得到一個解釋﹗
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hammer
LV.5
28
2006-11-23 11:06
@philips
依您之见呢?如有不对,请指出!
我还没有搞清楚,不能乱说,呵呵!
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hammer
LV.5
29
2006-11-23 11:10
@jerome
我有个疑问,提一下:你用RCC作基极驱动,当B极由负压转为正压,这个过程同样三极管VCE承受高压,而且导通过程必定比射极驱动慢,因为射极驱动B极每时刻都能提供足够的驱动电流饱和导通,那么为什么你说RCC也不会有问题呢?实际上,我认为,射极驱动导通更快,就算在三极管开通瞬间,三极管也能快速导通到地,因此导通时VCE耐压也不会有问题!不对之处,请指教,谢谢!
目前只能说设计驱动可能更安全些.
RCC用几十年了,日本做的很好,现在仍有大量使用,说明可以安全工作的.
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jerome
LV.8
30
2006-11-23 11:13
@tkwz2000
在設計b極軀動的rcc電路時,我一般會選用Vce耐壓值為600v的13003.按照你說的e極軀動,導通時間非常快,但總流過了13003,我也實際測試了Vce和IC內置MOS的電壓值.的確,你們IC內置MOS大約只有30V,但是Vce卻有550v?可能我在頂牛角尖,我也只是希望從理論上得到一個解釋﹗
三极管导通瞬间已经把C极拉到地了,不会有什么耐压问题!要看也只是看开关的开通速度了,相信射极驱动在这方面是占有优势的!
三极管截止就不用讲了,VCBO承受耐压,也没有问题!
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jerome
LV.8
31
2006-11-23 11:15
@hammer
目前只能说设计驱动可能更安全些.RCC用几十年了,日本做的很好,现在仍有大量使用,说明可以安全工作的.
是的!
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