请教关于三极管的选用问题,
现在市场上三极管是做乱了,只看三极管上的激光标记好象是没用了,听内行的朋友讲要看芯片面积,我收集了一份常规三极管的芯片面积,不只对应的IC电流是多大?又不感轻信厂家的数据,在此请各位大哥帮忙了:
以下是平面工艺的三极管芯片:
TO92封装的:0.65*0.65/0.83*0.83/1.18*1.18/1.31*1.31/1.42*1.42
TO126封装的:1.42*1.42/1.63*1.63/1.73*1.73/1.8*1.84
TO220封装的:1.84*1.84/2.25*2.25/2.5*2.5/3.3*3.3/4.1*4.1
新手请教关于三极管的选用问题?劳驾各位帮助!
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一个最简单的方法(当然不是十分正确,不过对同一厂家不同批次之间的对比还是比较精确的)
使用远方的KF-2,以下是检测条件
规格 IB/IC(mA)
13001 10/100
13002 20/230
13003 30/500
13005 50/700
对相同厂家,相同标识的三极管,应对第一批次进行数量大于100的分散测试,并记录Vces,记算其平均值与方差.
这样就可以得到对应的蕊片面积与Vces的大约关系值
在相同的测试条件下,蕊片面积越大,Vces越小,以上的测试条件是保证Vces处于比较大的离散处(约0.3-0.5V,13007可能要用到IC2000mA档,但是我手头上没有,一直是使用05档测,其测量时变化太小,不太好判断),以增大检测时数据的差异的直观,当然,工程师应比较其变化,制定适合自己的比值
基本上,以上的方法对蕊片面积的测量还是有一定的价值,即使是在不同厂家之间,但是对于蕊片的其他特性没有太大帮助,如果有可能,最好能使用DY2993进行热态测量
使用远方的KF-2,以下是检测条件
规格 IB/IC(mA)
13001 10/100
13002 20/230
13003 30/500
13005 50/700
对相同厂家,相同标识的三极管,应对第一批次进行数量大于100的分散测试,并记录Vces,记算其平均值与方差.
这样就可以得到对应的蕊片面积与Vces的大约关系值
在相同的测试条件下,蕊片面积越大,Vces越小,以上的测试条件是保证Vces处于比较大的离散处(约0.3-0.5V,13007可能要用到IC2000mA档,但是我手头上没有,一直是使用05档测,其测量时变化太小,不太好判断),以增大检测时数据的差异的直观,当然,工程师应比较其变化,制定适合自己的比值
基本上,以上的方法对蕊片面积的测量还是有一定的价值,即使是在不同厂家之间,但是对于蕊片的其他特性没有太大帮助,如果有可能,最好能使用DY2993进行热态测量
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@大梦我未觉
一个最简单的方法(当然不是十分正确,不过对同一厂家不同批次之间的对比还是比较精确的)使用远方的KF-2,以下是检测条件规格 IB/IC(mA)13001 10/10013002 20/23013003 30/50013005 50/700对相同厂家,相同标识的三极管,应对第一批次进行数量大于100的分散测试,并记录Vces,记算其平均值与方差.这样就可以得到对应的蕊片面积与Vces的大约关系值在相同的测试条件下,蕊片面积越大,Vces越小,以上的测试条件是保证Vces处于比较大的离散处(约0.3-0.5V,13007可能要用到IC2000mA档,但是我手头上没有,一直是使用05档测,其测量时变化太小,不太好判断),以增大检测时数据的差异的直观,当然,工程师应比较其变化,制定适合自己的比值基本上,以上的方法对蕊片面积的测量还是有一定的价值,即使是在不同厂家之间,但是对于蕊片的其他特性没有太大帮助,如果有可能,最好能使用DY2993进行热态测量
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@大梦我未觉
一个最简单的方法(当然不是十分正确,不过对同一厂家不同批次之间的对比还是比较精确的)使用远方的KF-2,以下是检测条件规格 IB/IC(mA)13001 10/10013002 20/23013003 30/50013005 50/700对相同厂家,相同标识的三极管,应对第一批次进行数量大于100的分散测试,并记录Vces,记算其平均值与方差.这样就可以得到对应的蕊片面积与Vces的大约关系值在相同的测试条件下,蕊片面积越大,Vces越小,以上的测试条件是保证Vces处于比较大的离散处(约0.3-0.5V,13007可能要用到IC2000mA档,但是我手头上没有,一直是使用05档测,其测量时变化太小,不太好判断),以增大检测时数据的差异的直观,当然,工程师应比较其变化,制定适合自己的比值基本上,以上的方法对蕊片面积的测量还是有一定的价值,即使是在不同厂家之间,但是对于蕊片的其他特性没有太大帮助,如果有可能,最好能使用DY2993进行热态测量
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