请问IR公司的GH30n60怎么在网站上找不到datasheet?

如果做产品,还是赶紧找IR办吧!GH30N60是IGBT,IRFPS30N60K是FET.

卖器件的老板说肯定是mos,而且我上网查也说是mos,但是ir网站上查不到,igbt也查不到.
http://www.hz-qj.com/kkgw/1128.htm
上面写的是常用场效应管

是IR地WORP2IGBT,开关特性和FET极其相似,该型号是特别表示,可以用IRGP35B60PD1代替.1097765395.pdf

我们是IR的代理,需要的话可以和我联系,fanghua1599@sina.com

非常感谢,怪不得IR网站上都找不到DATASHEET呢.
不过我就不能用它了,我想作100k左右的ZVS电源,
准备做到2kW,初步打算用移相全桥,象刘胜利书中介绍一样.
但是输出准备达到1kV,而且线性可调.

由于我以前没有做过这么大功率的电源,而且没有用过全桥,
请问没有作硬开关的基础就作软开关有什么困难吗?
我选用IRFPS30N60K如何?

谢谢.

做ZVS的话,建议你用IRFP31N50L,FET的寄生二极管是优化的快恢复TVS型,在反向流电流后对ZVS过度时间影响要不普通FET好的多.

如果,你是IR代理,请用贵司的信箱服务器.

太好了,我看了一下irfp31n50l的手册,它是专门为ZVS开发的.
它的寄生反并联二极管的特性不错.但是没有说明是TVS(瞬态电压抑制)型呀.

我做软开关全桥和硬开关的难度有差别吗?我没有做过全桥电路,只是做过一些小功率的反激电路.

再次感谢.

还有个问题就是,如果我用类似rurp3060这样的快恢复管代替MOS的寄生二极管是不是更好?

谢谢.

尖锐呀.

IR所有FET的体二极管都是TVS型的,而且;有雪崩耐量指标.BBS上有许多ZVS的贴子,你可以搜一下.

我们公司是,威健国际贸易公司,你可以去IR的网站(www.irf.com.cn)上去查找,我们就是IR的代理呀!

我以前做过全桥软开关的电源,有什么问题可以和我交流呀!方便联系吗?

好,谢谢.
当然方便联系了.

如果是TVS的二极管,那么其击穿电压应该比VDS小才有用,但是如果小的话不降低mos自身的耐压了吗?
不懂.

许老师,您是IR代理吗?怎么这么明白IR的产品?

威健?我和你们的兄弟赵卫关系不错,你是哪位?

通常过压击穿,打的是FET的体管.
另;作为一个工程师,我不光了解IR,其他如仙童;ST;NS;瑞撒....都有了解.工程师的职责是榨取最大使用价值(魔鬼解释,呵呵).只是IR在这方面比较强.
强调一下,我不是IR代理.

明白了.FET的体管就是那个体二极管,是吗?
它是TVS型的.

我是北京的,你说的那位我怎么不认识

他说的是Bill

原来是他,我们公司西安办事处的!