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请各位高手看一看这个驱动波形

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全部回复(15)
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LV.1
2
2006-12-27 11:02
为什么在5V左右这个平台这会有一个电压下降的一点,是因为IC的驱动不够吗?
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xkw1
LV.9
3
2006-12-27 11:11
@
为什么在5V左右这个平台这会有一个电压下降的一点,是因为IC的驱动不够吗?
FET和IGBT都是在5V左右开始开启.这是蜜勒效应引起的(漏-栅间电容在FET开过程中放电;抵消了驱动电流).此时,FET/IGBT处在线性区.时间越长,表示开关损耗越大.但EMI/EMC噪音会小,反之损耗小,噪音大.
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LV.1
4
2006-12-27 17:06
@xkw1
FET和IGBT都是在5V左右开始开启.这是蜜勒效应引起的(漏-栅间电容在FET开过程中放电;抵消了驱动电流).此时,FET/IGBT处在线性区.时间越长,表示开关损耗越大.但EMI/EMC噪音会小,反之损耗小,噪音大.
谢谢你的回复,你的意思这个点是正常存在的是吗?
和IC本身的驱动能力是不是没太大关系,像你所讲如果漏-栅间的电容越大这点就越是明显,
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LV.1
5
2006-12-27 17:09
@xkw1
FET和IGBT都是在5V左右开始开启.这是蜜勒效应引起的(漏-栅间电容在FET开过程中放电;抵消了驱动电流).此时,FET/IGBT处在线性区.时间越长,表示开关损耗越大.但EMI/EMC噪音会小,反之损耗小,噪音大.
那我想再问一下,漏-栅间的电容是不是和FET的规格电流和耐压成正比
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LV.1
6
2006-12-27 17:27
@
那我想再问一下,漏-栅间的电容是不是和FET的规格电流和耐压成正比
xkw1不好意思我一下子问多了,请谅解
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xkw1
LV.9
7
2006-12-28 10:48
@
xkw1不好意思我一下子问多了,请谅解
通常,这与IC关系不大.理论上讲,硬开关中;该现象永远存在.
漏栅电容与FET规格和工艺有关.对同一厂家的同一工艺下的器件讲,FET越大,电容也越大.但非线性.
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LV.1
8
2006-12-28 11:43
@xkw1
通常,这与IC关系不大.理论上讲,硬开关中;该现象永远存在.漏栅电容与FET规格和工艺有关.对同一厂家的同一工艺下的器件讲,FET越大,电容也越大.但非线性.
终于等到XKW1的回复了,你所讲的“FET越大,电容也越大.但非线性”的意思工还没明白,最后一句非线性的意思FET与电容不是成线性增长的是吗?
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xkw1
LV.9
9
2006-12-29 10:19
@
终于等到XKW1的回复了,你所讲的“FET越大,电容也越大.但非线性”的意思工还没明白,最后一句非线性的意思FET与电容不是成线性增长的是吗?
是的!
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2006-12-29 11:12
@xkw1
是的!
说得对
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LV.1
11
2006-12-29 11:36
@xkw1
是的!
xkw1你好!
还有一点我有点疑问,像对策辐射时,我们有一种做法就是把IC的驱动电阻加大一点让FET的开通速度变缓.这种方式和选漏极和栅极电容大点的会不会有同样的效果,如果是同样的效果那它们的损耗是否也是一样.
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xkw1
LV.9
12
2006-12-30 10:22
@
xkw1你好!还有一点我有点疑问,像对策辐射时,我们有一种做法就是把IC的驱动电阻加大一点让FET的开通速度变缓.这种方式和选漏极和栅极电容大点的会不会有同样的效果,如果是同样的效果那它们的损耗是否也是一样.
FET在电源里,通常工作在开关状态.如果对它的工作波形做富利叶展开的话,会发现;它是由整数倍频率不同幅值和相位的的正弦波;叠加而成.与开关频率一样的叫基波,2次以上的叫谐波.
栅电阻越小,RC充电越快;高次谐波越多.EMI/C越难过.开关损耗越小.
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shdoqi
LV.6
13
2007-07-24 23:46
@
谢谢你的回复,你的意思这个点是正常存在的是吗?和IC本身的驱动能力是不是没太大关系,像你所讲如果漏-栅间的电容越大这点就越是明显,
当然和驱动能力有关系,驱动能力越强这个时间会越小
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winter
LV.4
14
2007-07-29 19:22
我的电路由于miller引起的下降居然探到了0V,请教这样是否会引起IGBT异常发热?加大驱动电流是否可以解决?谢谢
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xue007
LV.9
15
2007-07-29 20:13
很正常的.
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LV.1
16
2008-01-04 12:32
@xue007
很正常的.
大家来顶一下吧
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