请各位高手看一看这个驱动波形

为什么在5V左右这个平台这会有一个电压下降的一点,是因为IC的驱动不够吗?

FET和IGBT都是在5V左右开始开启.这是蜜勒效应引起的(漏-栅间电容在FET开过程中放电;抵消了驱动电流).此时,FET/IGBT处在线性区.时间越长,表示开关损耗越大.但EMI/EMC噪音会小,反之损耗小,噪音大.

谢谢你的回复,你的意思这个点是正常存在的是吗?
和IC本身的驱动能力是不是没太大关系,像你所讲如果漏-栅间的电容越大这点就越是明显,

那我想再问一下,漏-栅间的电容是不是和FET的规格电流和耐压成正比

xkw1不好意思我一下子问多了,请谅解

通常,这与IC关系不大.理论上讲,硬开关中;该现象永远存在.
漏栅电容与FET规格和工艺有关.对同一厂家的同一工艺下的器件讲,FET越大,电容也越大.但非线性.

终于等到XKW1的回复了,你所讲的“FET越大,电容也越大.但非线性”的意思工还没明白,最后一句非线性的意思FET与电容不是成线性增长的是吗?

是的!

说得对

xkw1你好!
还有一点我有点疑问,像对策辐射时,我们有一种做法就是把IC的驱动电阻加大一点让FET的开通速度变缓.这种方式和选漏极和栅极电容大点的会不会有同样的效果,如果是同样的效果那它们的损耗是否也是一样.

FET在电源里,通常工作在开关状态.如果对它的工作波形做富利叶展开的话,会发现;它是由整数倍频率不同幅值和相位的的正弦波;叠加而成.与开关频率一样的叫基波,2次以上的叫谐波.
栅电阻越小,RC充电越快;高次谐波越多.EMI/C越难过.开关损耗越小.

当然和驱动能力有关系,驱动能力越强这个时间会越小

我的电路由于miller引起的下降居然探到了0V,请教这样是否会引起IGBT异常发热?加大驱动电流是否可以解决?谢谢

很正常的.

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