MOS管温升高,有没有好的解决办法?

可以试一下英飞凌的IC,呵呵,可以与我联系~~

肯定是哪个地方参数没有设计好

请教大哥,如何解决?谢谢!

各位大哥,我现在需要的是解决温升太高的方法,而不是那些其他的技术和芯片,如果我能够更换早就换了,拜托各位,不要再此再做广告了,谢谢!

那就是驱动电路的问题吗

观察 一下MOSFET上面的波形.同时用温升测试仪器测一下,变压器,MOSFET,整流桥,那个温度高.有可能不是MOSFET本身造成的问题.
同时观察一下GATE上面的驱动波形,还有VDS上面的波形,看是由于导通损耗还是开关损耗造成的.如果由开关损耗造成的,要改善周围的线路,比如说GATE上面的驱动电阻.如果由导通损耗造成的,因为RDSON是固定的.只能从换更低的RDSON的MOSFET或者COOLSET.英飞凌的是一个好的选择.

看VDS波形吧,可能是漏感太大振荡厉害,这部分能量都被mosfet短路导致mosfet发热太大.

谢了,我明天把波形图发上来看看,请大家帮忙分析分析

以上說的是,不過也可以加上快速放電的電路上去,不但可以降低溫升,還可以提高效率,或者修改變壓器初級圈數

开关损耗过大了,看看你选的管子是否适合这一频率,或者是你的驱动使得开关时间较长.

http://bbs.dianyuan.com/topic/30362这个可能对您有所启发

反激电源我常将匝比的计算时加入原边反射电压来算,控制在120V以下,用600V的MOS管,能更低的导通电阻减小功耗.

频率高了肯定发热历害了.

检查吸收回路,另外管子是否太大了?