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求教:M57962AL正常工作,保护异常?

用M57962AL驱动IGBT,没有进行短路测试时能够正常工作.短路测试时,8脚只在瞬间跌落到低电平,短暂振荡后回到高电平,中间并没有1.5ms的延时,每个工作周期均出现相同的情况,一直没有想通是什么原因,感觉是不是芯片内部的定时电路坏了,但又觉的不像,希望哪位高手能够指点一二!
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zli
LV.7
2
2006-12-31 17:32
你是如何进行IGBT短路测试的?你没有测一下在短路时驱动器的输出端5脚能否观测到约为2US,周期为1.3MS的脉冲信号呢?如果没有,看是不是短路测试有问题,要不就是M57962本身是否坏了.
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yyhuiboy
LV.2
3
2007-01-03 18:26
@zli
你是如何进行IGBT短路测试的?你没有测一下在短路时驱动器的输出端5脚能否观测到约为2US,周期为1.3MS的脉冲信号呢?如果没有,看是不是短路测试有问题,要不就是M57962本身是否坏了.
我是在实验室中,用低压直流电源供电,IGBT集电极接了上拉电阻.当给电阻短路时,IGBT应该是处于短路过流状态的.
后来我检查了驱动芯片,果然是芯片坏掉了.
但还有一些问题存在.我的试验电路中没有接稳压管,在短路测试时的波形中,为什么在1脚为高电平以后,要5us的时间才进行短路保护(此时2脚没有外接电容)?感觉这个时间很长啊?其他的5脚2us,1.3ms的信号倒是正常出现.
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zli
LV.7
4
2007-01-03 23:24
@yyhuiboy
我是在实验室中,用低压直流电源供电,IGBT集电极接了上拉电阻.当给电阻短路时,IGBT应该是处于短路过流状态的.后来我检查了驱动芯片,果然是芯片坏掉了.但还有一些问题存在.我的试验电路中没有接稳压管,在短路测试时的波形中,为什么在1脚为高电平以后,要5us的时间才进行短路保护(此时2脚没有外接电容)?感觉这个时间很长啊?其他的5脚2us,1.3ms的信号倒是正常出现.
你所指的1脚为高电平是多少伏电压呢?驱动器内部设定了一个门限电压,和你所用的二极管压降也有关系.
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yyhuiboy
LV.2
5
2007-01-04 13:11
@zli
你所指的1脚为高电平是多少伏电压呢?驱动器内部设定了一个门限电压,和你所用的二极管压降也有关系.
1脚的高电平在短路测试时到底是多少还真没有测量过,但在给上拉电阻短路时,出现保护现象应该是高电平了,根据资料上所说应该是12伏左右吧.
另外,在实测波形中,当给上拉电阻短路时,5us的时间里IGBT的集射极电压上升到12伏左右后产生短路保护,此后有振荡电压波形产生.
我用的二极管是1N4148.
但资料上说这个短路保护延迟时间大约也就应该在2us左右,不知道是不是我的实验电路有问题?能够通过什么方法进行改进呢?
在实际电路中,二极管后面再串接一个稳压管是不是能够减少驱动芯片的保护延迟时间?
谢谢!
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zli
LV.7
6
2007-01-04 22:09
@yyhuiboy
1脚的高电平在短路测试时到底是多少还真没有测量过,但在给上拉电阻短路时,出现保护现象应该是高电平了,根据资料上所说应该是12伏左右吧.另外,在实测波形中,当给上拉电阻短路时,5us的时间里IGBT的集射极电压上升到12伏左右后产生短路保护,此后有振荡电压波形产生.我用的二极管是1N4148.但资料上说这个短路保护延迟时间大约也就应该在2us左右,不知道是不是我的实验电路有问题?能够通过什么方法进行改进呢?在实际电路中,二极管后面再串接一个稳压管是不是能够减少驱动芯片的保护延迟时间?谢谢!
IGBT在发生短路时其内问等效PNP管会退出饱和区,进入放大区,VCE电压升高,通常用这个电压值来检测IGBT是否过流.具体的过流判定门限电压可以用外接的二极管数量或加稳压管等方式来调节,资料上所写的短路保护延迟时间是指为了防止IGBT在开通初始阶段由于VCE电压下降需要时间,所以在此时间内不能让保护电路有效,所以驱动器内部设计了延迟盲区,大概为2.5US,与你所测到的5US不是一个概念.为了减小保护时间可以多串几个二极管或加一个稳压管.其实质也是降低测出的VCE电压门限.
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zli
LV.7
7
2007-01-04 23:53
@yyhuiboy
我是在实验室中,用低压直流电源供电,IGBT集电极接了上拉电阻.当给电阻短路时,IGBT应该是处于短路过流状态的.后来我检查了驱动芯片,果然是芯片坏掉了.但还有一些问题存在.我的试验电路中没有接稳压管,在短路测试时的波形中,为什么在1脚为高电平以后,要5us的时间才进行短路保护(此时2脚没有外接电容)?感觉这个时间很长啊?其他的5脚2us,1.3ms的信号倒是正常出现.
问一下你用低压直流电源来测试IGBT短路,直流电源输出电流有多大呢?你测试用的IGBT是多大电流,电压的呢?
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yyhuiboy
LV.2
8
2007-01-06 14:32
@zli
问一下你用低压直流电源来测试IGBT短路,直流电源输出电流有多大呢?你测试用的IGBT是多大电流,电压的呢?
非常感谢你的指点,让我受益匪浅啊.
我用的直流电源,最大输出电流是3A的.
我用IGBT测试时,用的是1200V200A的管子,但此时低压电源总是过流保护.就改用MOSFET测试,型号是IRFP460LC,得到了以上的测试结果.
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zli
LV.7
9
2007-01-07 11:06
@yyhuiboy
非常感谢你的指点,让我受益匪浅啊.我用的直流电源,最大输出电流是3A的.我用IGBT测试时,用的是1200V200A的管子,但此时低压电源总是过流保护.就改用MOSFET测试,型号是IRFP460LC,得到了以上的测试结果.
你用这么小电流的电源来测试短路,当然会保护,而你用MOSFET来代替,也可能有问题,因为MOS管的短路特性与IGBT是不同的,因此出现你以上所说的情况也是正常的了.你可以用大一点电流源试一下.
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yyhuiboy
LV.2
10
2007-01-08 12:29
@zli
你用这么小电流的电源来测试短路,当然会保护,而你用MOSFET来代替,也可能有问题,因为MOS管的短路特性与IGBT是不同的,因此出现你以上所说的情况也是正常的了.你可以用大一点电流源试一下.
向你请教一下,MOS管与IGBT的短路特性有哪些不同呢?保护的原理有什么不同?如果对MOS管保护应该采取哪些措施呢?
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zli
LV.7
11
2007-01-08 21:14
@yyhuiboy
向你请教一下,MOS管与IGBT的短路特性有哪些不同呢?保护的原理有什么不同?如果对MOS管保护应该采取哪些措施呢?
MOS管一般是通过串联电阻来检测漏极电流的值,而不是用IGBT所用的检测VCE欠饱和的方式.
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yyhuiboy
LV.2
12
2007-01-09 17:14
@zli
MOS管一般是通过串联电阻来检测漏极电流的值,而不是用IGBT所用的检测VCE欠饱和的方式.
手册上说,芯片的负电压推荐是-10V,最大是-15V.但实际电路中已经有-15V的电源,又不想增加新的-10V的电源,如果直接用-15V的电源给芯片供电,不知是否可行呢?其可靠性如何呢?
或者用-15V的电源分压获得-10V的电源是否可行呢?
在这样的方式下对电路的性能会产生什么影响呢?
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zli
LV.7
13
2007-01-10 21:52
@yyhuiboy
手册上说,芯片的负电压推荐是-10V,最大是-15V.但实际电路中已经有-15V的电源,又不想增加新的-10V的电源,如果直接用-15V的电源给芯片供电,不知是否可行呢?其可靠性如何呢?或者用-15V的电源分压获得-10V的电源是否可行呢?在这样的方式下对电路的性能会产生什么影响呢?
-15V也是可以的,只要电压稳定,负压的作用是保证可靠关断,不受干扰影响而出现误通,电压高低对其它性能没有影响,只是不要太高而击穿栅源绝缘层就行.
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xiao427wen
LV.1
14
2011-05-23 11:26
@yyhuiboy
我是在实验室中,用低压直流电源供电,IGBT集电极接了上拉电阻.当给电阻短路时,IGBT应该是处于短路过流状态的.后来我检查了驱动芯片,果然是芯片坏掉了.但还有一些问题存在.我的试验电路中没有接稳压管,在短路测试时的波形中,为什么在1脚为高电平以后,要5us的时间才进行短路保护(此时2脚没有外接电容)?感觉这个时间很长啊?其他的5脚2us,1.3ms的信号倒是正常出现.

您好!

  大哥,我现在正在做m57962AL的测试,我测出5脚的输出端总是mv级的,不知道为什么,您能不能给我指点一下?我的qq:544171815,渴望与您取得联系。

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xiyan
LV.1
15
2013-07-23 08:39
@zli
-15V也是可以的,只要电压稳定,负压的作用是保证可靠关断,不受干扰影响而出现误通,电压高低对其它性能没有影响,只是不要太高而击穿栅源绝缘层就行.

用M57962AL驱动IGBT的电路图中为何要给M57962AL的4,6脚间加上电容?这些电容器什么作用?谢谢

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