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如何更有效的处理EMI

对于工程师门来说,做好EMC不愧是一场恶梦,但是如何在无屏蔽房无扫频仪时能更好的处理EMI,也许大半同行们来说真是一个问号.不同辐射频段的辐射有不同的采取措施,如何能更有效的处理根据点,如何才能突攻出发点,更是一个迷惑.相信同行门都有类似的经历,发现辐射不过时,基本所有知道的方法,都不同先后的偿试过,也许种种方法,措施都无济于事便开始惘然了,其实EMI的措施不在于多与少,而在于如何点对点突发其点.比如40M,80M,150M,240M等通不过时,措施肯定不一,但.......请大伙门顶顶
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powerfeng
LV.5
2
2007-01-04 13:00
先上传一些EMI测试资料,后叙如何将这进行问题一一突破1167886853.pdf
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powerfeng
LV.5
3
2007-01-04 13:07
@powerfeng
先上传一些EMI测试资料,后叙如何将这进行问题一一突破1167886853.pdf
第一幅水平测试辐射图,80Mz通不过,150Mz顶-6dB线,那么按如图分解,驱动电路不佳,首先对温升,空载空耗进行了解,然后可知幅度改变
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fasten
LV.6
4
2007-01-04 15:09
@powerfeng
第一幅水平测试辐射图,80Mz通不过,150Mz顶-6dB线,那么按如图分解,驱动电路不佳,首先对温升,空载空耗进行了解,然后可知幅度改变
不錯,期待進一步分析...
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powerfeng
LV.5
5
2007-01-04 18:53
@fasten
不錯,期待進一步分析...
驱动电路对EMI的改善,电阻选取根椐不同机型可选取10~100R,对EMI有着不同的效果,但同时也引起效率,温升的改变,根据电源的不断发展趋势,低功耗,效率成了2007年主要局势,所以满足效率,温升的前题下,进行选取最大驱动,但注意某些芯片满载存在不开机现象.
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powerfeng
LV.5
6
2007-01-04 19:10
@powerfeng
驱动电路对EMI的改善,电阻选取根椐不同机型可选取10~100R,对EMI有着不同的效果,但同时也引起效率,温升的改变,根据电源的不断发展趋势,低功耗,效率成了2007年主要局势,所以满足效率,温升的前题下,进行选取最大驱动,但注意某些芯片满载存在不开机现象.
也许初学者还不了解EMC的概念,现上传一份资料先定义EMI的辐射与传导及电磁兼容的概念
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powerfeng
LV.5
7
2007-01-04 20:16
@powerfeng
也许初学者还不了解EMC的概念,现上传一份资料先定义EMI的辐射与传导及电磁兼容的概念
大家对EMI太过于陌生还是太过于了解,怎么么没人顶
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ruohan
LV.9
8
2007-01-05 14:02
@powerfeng
大家对EMI太过于陌生还是太过于了解,怎么么没人顶
我有一个40---50M的地方不过,是什么原因吧,
待机电源是用VIPER21,主输出是用3843,
传导好的很呀
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ruohan
LV.9
9
2007-01-05 14:07
@ruohan
我有一个40---50M的地方不过,是什么原因吧,待机电源是用VIPER21,主输出是用3843,传导好的很呀
你扫的频带对于电源太过于宽了,
30M---300M就可以了,
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powerfeng
LV.5
10
2007-01-05 14:11
@ruohan
你扫的频带对于电源太过于宽了,30M---300M就可以了,
实验室不同但后部可以不管,你驱动电阻多大,现效率多
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powerfeng
LV.5
11
2007-01-05 14:16
@powerfeng
实验室不同但后部可以不管,你驱动电阻多大,现效率多
我可以给你一份EMI实际控制资料,把你的E-mail留下
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ruohan
LV.9
12
2007-01-05 14:30
@powerfeng
我可以给你一份EMI实际控制资料,把你的E-mail留下
**此帖已被管理员删除**
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powerfeng
LV.5
13
2007-01-05 14:49
@ruohan
**此帖已被管理员删除**
效率能满足情况下把4148去掉将有改善,最好把你的辐射图贴上
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karl_tao
LV.2
14
2007-01-05 14:54
@powerfeng
我可以给你一份EMI实际控制资料,把你的E-mail留下
**此帖已被管理员删除**
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powerfeng
LV.5
15
2007-01-05 15:03
@powerfeng
效率能满足情况下把4148去掉将有改善,最好把你的辐射图贴上
DS磁珠只对特定的频率才有影响,你DQE测试都能满足吗?温升MOS与输出整流多少,你们余量要求多少,是否通过即可还是......
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powerfeng
LV.5
16
2007-01-05 15:24
@karl_tao
**此帖已被管理员删除**
已发出请查收
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ruohan
LV.9
17
2007-01-05 15:25
@powerfeng
效率能满足情况下把4148去掉将有改善,最好把你的辐射图贴上
你看一下,用手机照的
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/49/1167981897.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/49/1167981903.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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ruohan
LV.9
18
2007-01-05 15:33
@powerfeng
已发出请查收
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/49/1167982320.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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powerfeng
LV.5
19
2007-01-05 16:08
@ruohan
[图片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/49/1167982320.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
第二张是否水平?你在MOS管DS脚加100P电容即可顺利通过.
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powerfeng
LV.5
20
2007-01-05 16:10
@powerfeng
第二张是否水平?你在MOS管DS脚加100P电容即可顺利通过.
你辐射线表明驱动有问题,不用上方法修正同样可通过并余量更大
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ruohan
LV.9
21
2007-01-05 16:26
@powerfeng
你辐射线表明驱动有问题,不用上方法修正同样可通过并余量更大
怎么修改呢,
我驱动改过,效果不很大呀
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ruohan
LV.9
22
2007-01-05 16:29
@ruohan
怎么修改呢,我驱动改过,效果不很大呀
有3--4DB的余量就可以了
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powerfeng
LV.5
23
2007-01-05 17:11
@ruohan
有3--4DB的余量就可以了
你把驱动和输出电路给我剪切出来,你MOS温升多少?你MOS型号
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ruohan
LV.9
24
2007-01-05 17:13
@powerfeng
你辐射线表明驱动有问题,不用上方法修正同样可通过并余量更大
你的邮件我还没有收到呀,
你说的是驱动太强了是吧,
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powerfeng
LV.5
25
2007-01-05 17:14
@powerfeng
你把驱动和输出电路给我剪切出来,你MOS温升多少?你MOS型号
471电容是删极对地?你电源功率多大?7N60还是8N60
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powerfeng
LV.5
26
2007-01-05 17:17
@ruohan
你的邮件我还没有收到呀,你说的是驱动太强了是吧,
当然,驱动上升过快那么MOS的开关越快,结电容放电趋势严重,EMI肯定会更高.
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ruohan
LV.9
27
2007-01-05 17:19
@powerfeng
471电容是删极对地?你电源功率多大?7N60还是8N60
150w,
9N60,主变压器是用的EI33,正激的,管子的耐压不是很够,
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ruohan
LV.9
28
2007-01-05 17:20
@powerfeng
471电容是删极对地?你电源功率多大?7N60还是8N60
是DS端的电容.
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powerfeng
LV.5
29
2007-01-05 17:30
@powerfeng
当然,驱动上升过快那么MOS的开关越快,结电容放电趋势严重,EMI肯定会更高.
已发一部份,我的邮箱不能收邮件,所无需回复
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powerfeng
LV.5
30
2007-01-05 17:58
@ruohan
150w,9N60,主变压器是用的EI33,正激的,管子的耐压不是很够,
EI33做150W正激,Ae够吗?输出同步整流?
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ruohan
LV.9
31
2007-01-05 17:59
@powerfeng
EI33做150W正激,Ae够吗?输出同步整流?
风冷的,
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