第五代半导体--CREE公司的SIC碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,不但击穿电场强度高、热稳定性好,还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点,可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件,用它作为材料做出来的肖特基二极管满足以下一般的硅二极管所不能达到的特点:
一》耐压高,最高可以做到1800V;
二》反向恢复时间为零,提高产品的效率,改善产品的EMC;
三》耐温强,产品在300度以内工作性质不发生改变;
四》工作频率可到200KHZ以上;
目前我们可以提供的产品有:CSD01060A,CSD02060A,CSD04060A,CSD06060A,CSD10060A,CSD20060A.等等600V耐压的肖特基.产品特别适应用在电源的PFC部分.
联系方式:13590330343
邮箱:kopi.wu@maxiworld-asia.com
第五代半导体--CREE公司的SIC碳化硅
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Rohm已经推出SiC产品，包括SBD，MOS和Module。
SBD的Vf值为1.35V，最大电流为40A，650V或1200V。
MOS管的最大电流为35A，1200V。
Module的参数为120A，1800V和180A,1200V。
http://www.rohm.com/web/global/groups/-/group/groupname/SiC%20Power%20Devices
我们是Rohm的一级代理，可共同探讨学习及需要样品等，联系1693398980
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@加伊
Rohm已经推出SiC产品，包括SBD，MOS和Module。SBD的Vf值为1.35V，最大电流为40A，650V或1200V。MOS管的最大电流为35A，1200V。Module的参数为120A，1800V和180A,1200V。http://www.rohm.com/web/global/groups/-/group/groupname/SiC%20Power%20Devices我们是Rohm的一级代理，可共同探讨学习及需要样品等，联系1693398980
我司专业SIC碳化硅MOS模块（可以做成单管，加续流二极管，斩波...），IGBT模块
QQ：597298353
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