请教大电流MOS驱动!!!急啊!!!

我不知道你那功率管的栅电容是多少,用IR2110或IR2106加输出MOS缓冲(峰值电流可大于8A,视输出管而定)行吗?我用过上升下降沿可小于100ns.还有TC系列的驱动器也有些大电流的.

你指的MOS缓冲是什么?是不是加MOS构成的图腾结构.有电路给我瞧瞧吗?不胜感谢啊!急死了!我用的MOS是ixys公司的,一个管子输入的结电容有21nF啊!!

给这个你瞧瞧,不知是否、你有用.1098797782.pdf

这个资料我也有!我那个管子容是比较大,不知仁兄还有没有其他方法.我们老板还要我三管并联!难煞我也!

你的MOS缓冲是二级MOS图腾,上管两MOS接成达林顿结构吗?

这是一大晶片的FET,晶片上的栅是网装的铝线;有寄生电阻,FET有寄生的电容.这天生参数决定了你不可能快速驱动它.你用两阶段法,高压强驱动,9-15V维持,负脉冲强关断才能有限提高速度.

具体电路什么呢?高压强驱动是什么?不懂啊!请赐教啊!

FET驱动初期用+20V以上电压驱动,保持约0.5-1us,再降到9-15V维持.

我希望上升沿在400ns以内,不知可不可以啊?

有没有具体电路图啊?能不能传给小弟,不胜感激啊!我现在都快被我们导师逼疯了

400ns没问题,用电容对电容的RC套(字母我不知咋写上去)形电路试试,在电工基础上有C对RC电路的充电分析,你根据时间效应还可以写片论文.不过,最好把网博坠上.哈哈.

nuaa的兄弟啊,别急啊,APSC不是刚开过啊,你应该去问问Fred.c LEE啊,要不然问问alpha Zhang 也可以啊,呵呵.

XKW兄,你传给我的图中输入是接什么信号啊?电源吗?

未指示的是电源输入.

就是你所说的高压强迫(大于20V),是吧?

是,但;不能超过厂家要求的GS最高耐压.

我现在驱动三管230A100V的管子上升沿为400n(0-10V),下降沿为280n(10V-0),希望还能有所改进.

TC系列驱动器大电流的有什么型号的,容易买吗?

到这里看看:http://www.goldenchip.com.cn/icinfo/interface/MOSFET.asp

有个问题哦!你给我的文档中说输出MOS缓冲能输出8A的峰值电流.但图中IRFD9110和IRFD110的通态电流都小于1A,能行吗?

好东东,兄弟先谢了!!我想问一下,容易购买吗?还有的工作温度范围怎样?麻烦仁兄了

如果你觉得有问题,可以换电流更大的管嘛,且峰值与平均值不一样的.

我在深圳,器件还不难购买.参数上的问题看DATASHEET嘛.

外挂一负载测实际的上下沿,按的的脉冲数据,开关速度已超过了200nS.你现在是几伏驱动的?

我现在是20V驱动,负5V的负压!

我有200块驱动板  2单元  在高品加热电源上用2年多没事
过流保户是一流的

号有好多级了,我说个方法吧,这个方法驱动683的电容关是70NS,开是80NS.不过前提是它本身也要一定和驱动. 2806351230716188.pdf

还有好多没有说就回了,我没有真正驱动过MOS,只是拿它驱动了一下683的电容,也就是你想要的容值,上升是70NS,下降是60NS,前面的电容是102,二级管用4148,三极管用8550和8050.测试电压是15V,前面的PWM信号是UC3825,想要再快就加8550和8050吧,没钱人就用便宜货堆.不过做好退耦,开始时我用它驱动103电容,频率开到600KHZ,一开就挂三极管,搞了好久才知道是电容没有加好.

电路是面包板试的.

WR481 足够用了.