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MOSFET结温/开关损耗公式解析

今天看到电源网有两个公式不明白,请各位懂的人来讨论下,别见笑

①结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。

最大环境温度我知道,热阻我想问下是RDS规格书的阻值吗?功率耗散=I2×RDS(ON),这里面就是不知道热阻是什么,是如何计算的?

②Psw=(Eon+Eoff)×开关频率 Psw为MOSFET开关过程中器件的总损耗 Eon/Eoff为开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。

开关频率这个我们都知道,那Eon+Eoff是怎么计算的呢?

以上两个问题大家解析下,高人别见笑

 

 

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307848701
LV.4
2
2013-04-22 16:52

自己先顶一个,坐等来人分析

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zhangyh
LV.5
3
2013-04-22 20:42
@307848701
自己先顶一个,坐等来人分析
将你的开通河关断的波形存储数据发过来,帮你积分一个开关周期的功耗
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2013-04-22 20:46
@307848701
自己先顶一个,坐等来人分析
热阻不是mos的导通电阻,你仔细看看mos的datasheet,里面有Rthjc这个参数,就是热阻
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307848701
LV.4
5
2013-04-22 23:23
@sometimes
热阻不是mos的导通电阻,你仔细看看mos的datasheet,里面有Rthjc这个参数,就是热阻

哦,原来是这样的,小弟就入行没多久,多谢指点

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胡庄主
LV.7
6
2013-04-23 10:31

Philips_Thermal design considerations 提供个资料给你看看

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2013-04-23 13:42

这个Psw不是指开关管总损耗,是指开关损耗。EON+EOFF一般就是0.5*Coss*Vin^2,

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307848701
LV.4
8
2013-04-23 18:04
@dreamer662006
这个Psw不是指开关管总损耗,是指开关损耗。EON+EOFF一般就是0.5*Coss*Vin^2,

那资料全是英文的。。。

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