反激初级线圈匝数是否越少越好？

Bm=(L*Ip)/(N0*Ae)

初级线圈匝数N0越小，最大磁感应强度Bm越大，磁芯越容易饱和。

初级匝数越少，初级电流越大，容易饱和，但是我降低占空比啊

我是根据输入电压和磁芯饱和磁通计算出初级匝数

降低输入电压，就会减少初级匝数，饱和磁通不变。

所以我不觉得磁芯容易饱和。

IP会增大。。。线径要变粗。。。

温度也会上去。。。而且气隙变小，因为（你的匝数少，那么要保持L不变）。。。

也会导致你的变压器容易饱和。。

2贴的公式，哪个参数和占空比有关？

师长好，其实我也一直搞不懂，按照你所说的线径变粗，导线横截面就变粗，圈数又变少，应该是损耗变小，温升应该会更好的吧，另外你所说的饱和问题，可以降低变压器的感量解决，个人觉得还是应该减少初级线圈，不知道这样分析有没有问题,请指教，谢谢！

铜损会变小，由于Bm变大了，所以铁损会变大。4贴可能是按经验得出的总损耗变大，温度上升。

如果保持电感量不变，自然气隙变小；气隙变小，自然容易饱和。

如果保持气隙不变，则电感量减少，这样的话，峰值电流Ip会上升，自然容易饱和。所以一般设计变压器，都会根据最大磁感应强度Bm，有个最小原边绕组N0的计算公式。

他的意思是由IPK=2*PIN/(D*VIN)说的吧，想保证初级pk电流不变，输入电压降低，从而增加它的占空比吧

高手，在铜损和铁损方面如何来均衡，比如如果变压器温升高了，怎么判断是铜损引起还是铁损引起的，谢谢！

3贴说的是减小占空比。

而且没列出公式，让偶们费神去猜他的公式。

用两组温度测试。。。一组测磁芯温度，一组测线包温度。。。。

但正常的设计，就只测磁芯。。。

呵呵，我来告诉你真相。如果你100T都没饱和，那么50T是绝不会饱和的。

受影响的是次级二极管的反压会更高，给二极管留30%余量就好。

匝比越小，需要占空比就越小，越容易靠近DCM模式，需要考虑的是环路的设计。

峰值电流上去了，但是电感量下降了，所以根本不会饱和，从一定意义上讲会更加安全。

谢谢回复，

我觉得您的回复靠谱。

谁用过SX60-D12S5武汉盛翔的高温电源，支一声。看看效果如何，我们也准备用了。

初级线圈匝数越小、峰值磁通密度越大、而磁芯就越容易饱和、磁损也增加，但也不是说匝数越多就越好、铜损也会增加的嘛，还是要取折、大概计算出后根据骨架尺寸选择铜线线径

“如果你100T都没饱和，那么50T是绝不会饱和的”，那照这样说我10T都没饱和、那么5T也是绝对不会饱和吗？ 理论大家都 有所了解的  有时还是要经过实践的

反激式开关电源是利用电感储能，而非纯工频变压器主要靠匝数线降升压，同一磁芯下，线圈匝数少了，电感量会变少，要储相应功率的电量，电流就是变大了。电流变大，会带来更多的线损与开关管损耗。