大家好：
最近因为设备电池8.4V需要充电，但是市场上很少见这种充电的适配器，所以自己参考实际5V,2A的电源适配器电路图，自己抄板做了一个9V,1A的电源，具体图纸如下：
目前遇到的问题是：高压快速开关NPN功率管选择存在问题，我选择了SBP13005A，实际焊接上测试会出现功率管烧毁的问题，实验了2次，都会出现。更换为参考5V 2A电源适配器中的功率管，不存在任何问题，但是这个功率管没有具体的型号信息，不知道具体是哪个型号，希望你能帮忙看看此问题的原因，并推荐好用的NPN功率管。
高压快速开关NPN功率管选择问题
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@songdalong
我准备用5N60先试试，今天尝试。已经进行验证了，使用4N60可行，不存在炸管问题了，不过出现了我自己绕制的变压器不好用，使用自己的变压器，大致匝数及感量与参考变压器相同，但是实际上出现电压会出现逐渐变低的问题，这是怎么回事呢？是否我绕制的变压器参数设置不对
变压器电压逐渐降低的问题已经解决，是因为变压器绕制材料的不同，导致原有的匝数存在差异，更改了反馈线圈的匝数之后，输出正常了，但是一共绕制成功了2个变压器，一个很好，暂时没出现问题，另外一个出现了空载会有噪声，挂上负载之后，短时间没有噪声，时间一长，仍会出现噪声，原因未明确，请大师们帮忙看看，可能是哪个环节出现了问题？
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@君莫攀
哥们，你确认你原机的管子1脚与二脚三脚都可正向导通，反向截止的话，用c5207代替，如果不热那就用它，应该很保险。另外对这个电路中的电容耦合驱动的方式感觉很新鲜，，电容放电时可以通过发射结，但电容充电回路在哪里啊？是利用发射结可以反向击穿形成的回路吗？感觉还是场管的几率大一些，本人老菜鸟还请高手指教
谢谢大家的回复，我这现在走到变压器设计这一块了，目前不是很成功，有如下问题需要请教：
目前我想设计一个9V，1A的充电器，我尝试通过公式计算及变压器设计工具进行计算变压器参数，可是两者之间偏差很大，这个可能是什么问题导致的？而且我在电源网上下载了好几个变压器参数设计软件，计算出来的结果都不同，我都不知道该使用哪组参数是对的了，请大家帮忙指点一二，谢谢先！
我设计变压器的具体参数如下：
输入90V-264V，输出9V，1A，最大输出设定为1.2A；采用4N60 MOSFET。
磁芯为PC40材质，EE19的立式骨架；
预设效率70%，最大占空比0.45，变压器开关频率50KHz以上；
计算出来的参数具体如下：
匝比N=8.25，初级峰值电流0.64A，初级均方根电流0.25A,初级电感1.5mH，初级匝数190，线径0.282mm，次级匝数23，偏置10匝，线径0.21mm。
但是我通过工具计算出来的参数具体如下：
| 单端反激式开关电源变压器设计 | ||||||
| 初级参数 | ||||||
| 输入 | 计算结果 | |||||
| 输入电压（V） | Vacmin | 90.00 | 输入电压（V） | Vdcmin | 91.08 | |
| Vacmax | 264.00 | Vdcmax | 369.60 | |||
| 电源功率（W） | Pout | 10.80 | 反射电压（V） | Vf | 85.40 | |
| 预设效率（%） | η | 0.70 | 周期 μs | T | 20.00 | |
| 工作频率（KHz） | f | 50.00 | 最大导通时间( μs) | t | 9.68 | |
| MOS反峰电压（V） | Vmosmax | 600.00 | 最大占空比 | Dmax | 0.48 | |
| 连续模式输入 断续模式输入 |
0.50 | 0.50 | 输入功率（W） | Pin | 15.43 | |
| 1.00 | 初级电流 | Ip | 0.70 | |||
| 最大电感量（mH） | Lp | 2.52 | ||||
| 磁芯预选： | EE19 | 初级次级匝数比 | n | 9.49 | ||
| 电感因数(nH/N2) | AL | 1250.00 | 磁芯气隙（cm） | lg | 0.032521 | |
| 磁芯截面（mm2） | Ae | 23.00 | 初级匝数（Turn） | Np | 174.21 | |
| 磁感应强度（T） | Bw | 0.220 | 初级线径（mm） | Dp | 0.50 | |
| 次级参数： | ||||||
| 输出电压（V） | Vout | 9.00 | 次级匝数（Turn） | Ns | 18.36 | |
| 输出电流（A） | Iout | 1.00 | 次级线径（mm） | Ds | 0.59 | |
| 辅助电压（V） | Va | 3.00 | 辅助匝数（Turn） | Na | 6.12 | |
| 辅助电流（A） | Ia | 0.10 | 辅助线径（mm） | Da | 0.19 | |
| 磁路长度（mm） | le | 39.40 | 无气隙匝数电感 | L | 37.93 | |
| 磁芯磁压降(安匝) | NI | 4.05 | 磁芯相对导磁率 | μ | 1704.00 | |
| 气隙磁压降 | 56.93 | 有气隙相对导磁率 | μe | 113.11 | ||
| 峰值电流*初级匝数 | 121.96 | 电感中储存的能量(mj) | 0.5L*Ip^2 | 0.6171 | ||
| 总磁压降 | 60.98 | 气隙中储存的能量(mj) | 0.5B*Hg*Ae*lg 0.5B*气隙磁压降*Ae |
0.1440 | ||
| 磁芯中储存的能量(mj) | 0.5B*磁芯磁压降*Ae | 0.01024 | ||||
我想了解为什么会出现这个问题，同时请高手，大师们，看看这个参数是不是有问题？正在纠结中，这个项目耽搁挺久的了，想尽快搞定。希望大家多多帮忙。
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@songdalong
谢谢大家的回复，我这现在走到变压器设计这一块了，目前不是很成功，有如下问题需要请教：目前我想设计一个9V，1A的充电器，我尝试通过公式计算及变压器设计工具进行计算变压器参数，可是两者之间偏差很大，这个可能是什么问题导致的？而且我在电源网上下载了好几个变压器参数设计软件，计算出来的结果都不同，我都不知道该使用哪组参数是对的了，请大家帮忙指点一二，谢谢先！我设计变压器的具体参数如下：输入90V-264V，输出9V，1A，最大输出设定为1.2A；采用4N60MOSFET。磁芯为PC40材质，EE19的立式骨架；预设效率70%，最大占空比0.45，变压器开关频率50KHz以上；计算出来的参数具体如下：匝比N=8.25，初级峰值电流0.64A，初级均方根电流0.25A,初级电感1.5mH，初级匝数190，线径0.282mm，次级匝数23，偏置10匝，线径0.21mm。但是我通过工具计算出来的参数具体如下：单端反激式开关电源变压器设计初级参数输入 计算结果输入电压（V）Vacmin90.00 输入电压（V）Vdcmin91.08Vacmax264.00 Vdcmax369.60电源功率（W）Pout10.80 反射电压（V）Vf85.40预设效率（%）η0.70 周期 μsT20.00工作频率（KHz）f50.00 最大导通时间( μs)t9.68MOS反峰电压（V）Vmosmax600.00 最大占空比Dmax0.48连续模式输入 断续模式输入0.500.50 输入功率（W）Pin15.431.00 初级电流Ip0.70 最大电感量（mH）Lp2.52磁芯预选： EE19 初级次级匝数比n9.49电感因数(nH/N2)AL1250.00 磁芯气隙（cm）lg0.032521磁芯截面（mm2）Ae23.00 初级匝数（Turn）Np174.21磁感应强度（T）Bw0.220 初级线径（mm）Dp0.50次级参数：输出电压（V）Vout9.00 次级匝数（Turn）Ns18.36输出电流（A）Iout1.00 次级线径（mm）Ds0.59辅助电压（V）Va3.00 辅助匝数（Turn）Na6.12辅助电流（A）Ia0.10 辅助线径（mm）Da0.19磁路长度（mm）le39.40 无气隙匝数电感L37.93磁芯磁压降(安匝)NI4.05 磁芯相对导磁率μ1704.00气隙磁压降 56.93 有气隙相对导磁率μe113.11峰值电流*初级匝数 121.96 电感中储存的能量(mj)0.5L*Ip^20.6171总磁压降 60.98 气隙中储存的能量(mj)0.5B*Hg*Ae*lg0.5B*气隙磁压降*Ae0.1440 磁芯中储存的能量(mj)0.5B*磁芯磁压降*Ae0.01024我想了解为什么会出现这个问题，同时请高手，大师们，看看这个参数是不是有问题？正在纠结中，这个项目耽搁挺久的了，想尽快搞定。希望大家多多帮忙。
个人觉得你第一种算法是正确的，下面那个软件上面初级线径太大了。后面的肖特基用这个圈比可能要用80V的，60V 有点危险。
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