另一方面，其主要优点是不存在二次损坏机制。如果尝试用双极型三极管来阻塞大量的功率，在任何半导体结构中的不可避免的本地缺陷将扮演聚集电流的作用，结果将局部加热硅片。因为电阻的温度系数是负的，本地缺陷将起到低阻电流路径的作用，导致流入它的电流更多，自身发热越来越多，最终出现不可逆转的破坏。相比之下，MOSFET具有正的电阻热系数。
