另一方面，随着温度的升高，RDS(on)增加的劣势可以被感察觉到，由于载子移动性在25°C和125°C之间降低，这个重要的参数大概要翻番。再一方面，这同一个现象带来了巨大的优势：任何试图像上述那样发生作用的缺陷实际上都会从它分流—我们将看到的是“冷却点”而不是对双极器件的“热点”特性！这种自冷却机制的同等重要的结果是便于并联MOSFET以提升某种器件的电流性能。
