功率MOSFET的特别之处在于：包含像图2中并行连接所描述的那样的多个“单元”的结构。具有相同RDS(on)电阻的MOSFET并联，其等效电阻为一个MOSFET单元的RDS(on)的1/n。裸片面积越大，其导通电阻就越低，但是，与此同时，堍生电容就越大，因此，其开关性能就越差。
如果一切都是如此严格成正比且可以预测的话，有什么改进的办法吗？是的，其思路就是最小化(调低)基本单元的面积，这样在相同的占位空间中可以集成更多的单元，从而使RDS(on)下降，并维持电容不变。为了成功地改良每一代MOSFET产品，有必要持续地进行技术改良并改进晶体圆制造工艺(更出色的线蚀刻、更好的受控灌注等等)。
