求助变压器设计

变压器设计方法一样的，比如AP法。

磁芯材料可用PC40之类的，大小跟输出功率有关，根据输出功率按照某种方法（比如AP法）选磁芯大小。

初级匝数也按照上面这种方法计算。匝比需要根据输入、输出电压、占空比决定。

由于频率较高，铜线要考虑趋肤效应，可能需要选用多股线，并确定直径。并根据期望的电流密度（比如6A/mm^2）选择合适的多股线并联数。

至于具体怎么计算，需要你自己去推导。

网上好像找不到PC40材料的性能参数，例如磁导率摆幅、饱和磁通、局里温度、磁阻之类。

看到飞磁的3f3 3f4都可以满足这个频率，不知道5kw的磁芯价格怎么样。

恩  我目前就是按照这个方法在设计。还有两个问题：700khz下分布参数会不会很严重？主要考虑哪些？5kw的EMI也要注意什么吧?

分布参数会严重，导致计算与实际参数误差较大，所以调试工作量会比较大。

布线比较重要，合理走线。

EMI可能反而好处理，因为开关频率高，所以EMI滤波器会比较容易选择。

功率较高，所以要注意EMI磁芯不要饱和。

打算用IGBT搭个全桥。我以前考虑的布局布线 都是在PCB上考虑的，PCB外的电线不太清楚怎么考虑。像IGBT的输入、输出引线，主变压器的输入输出线，这些应该都是要用电线的吧，改怎么处理呢？

EMI没处理过，EMI滤波器是不是就是电源输入口选用的滤波器啊？这个主要是逆制传导发射的。辐射发射是不是各个部分用屏蔽罩隔离就好了？

IGBT能做到这么高频率吗？MOSFET比较适合吧。

自然是PCB布线，不推荐飞线。

EMI滤波器分输入EMI滤波器和输出EMI滤波器，看你的具体要求，对传导辐射都有改善。

用屏蔽罩隔离是可以，但不是万能的，具体问题还需要具体分析，主要还是要靠调试解决。

你在做不簡單的事……

按照你的描述 應該是納秒范圍的功率脈沖

恩   是要用MOS管了。这MOS管型号改选怎样的呢？

你是说开关管、变压器、和输出阻抗匹配 都应该在一个PCB上？

没上MHz哦  200khz--700khz

假如500khz的话，20个周期就是 40us的脉宽。

推荐都在PCB上（如果布线有困难，可以飞线），尽量不要有松动的电线，实在不行也要把线尽量固定，不要随意摆动。

原来是间歇模式。

PC40 在700khz时损耗比有400kw/m3  散热不过关的感觉

参数如链接：

http://www.tdk.co.jp/tcfx01/c16_1.pdf

间歇工作模式，原理是一样的，没区别。

肯定也有自身的特点，比如电路一直工作在动态，稳定性会怎么样？

就好像这个电路一会工作一会不工作。1%时间有输出，99%时间无输出。而不是一直都有输出。

恩   是要用MOS管了。这MOS管型号改选怎样的呢？

你是说开关管、变压器、和输出阻抗匹配 都应该在一个PCB上？

计算下MOS管的耐压，电流，按照这个选，选法和别的电路没有区别。

推荐是用PCB走线，这样一致性好，容易控制。

恩  这个是这样的，但具体怎么算动态呢？

哦   这个我自己查找资料看看吧

计算MOS管的实际峰值电压，比如计算出来是450V，然后留一定裕量（主要是电压尖峰毛刺，以及留有一定裕量），比如150V（假设尖峰电压100V，裕量50V），这样就可以选择600V耐压的MOS管。计算MOS管的实际有效值电流，比如3A，按照经验选3倍裕量，这样就可以选择9A的MOS管。

具体选什么管子，还是要测试决定，看是否满足电压降额要求、温升降额要求。

选什么品牌的管子，最好是问在这方面有经验的人，最好选用国外好的品牌。

脉冲功率有5kw  但平均功率只有50w。不知道磁芯是按脉冲功率还是平均功率来选？

个人以为MOS管需要600V30A（这是按照脉冲功率算的），很难找这样的管子，到现在还没找到