如图,用示波器看MOS管DS端波形,开机瞬间有时会有一个可观尖刺(最大值约500V),随后的平台是芯片Vcc的充电时间(图中持续时间大约930ms,如果关机后马上开机这个持续时间会短些),然后是IC开始工作(最大值572V)。电路是单级PFC,整流后无铝电解,但也不至于有尖刺吧?试过将整流桥后薄膜电容以外的电路都断开了,输入端EMC电感都短路了,但反复开机下探薄膜电容两端,还是出现这个接近500V的电压尖刺,可见不是整流后功率拓扑的问题。
请问这个电压尖峰是如何引起的,如何减少这个尖峰的幅度?谢谢!