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有没有人使用过这样的RCD吸收电路?这样的电路有什么优势吗?

 

如上图,一般的RCD电路,D1、C10、C12、R32、R33。但是上图中,R32、R33值太小了,而且R34、R35是做什么用的?有没有大侠使用过这样的RCD吸收回路?

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rockyy
LV.6
2
2013-09-21 17:29

我其实不明白那两个15欧 的电阻有什么用

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abccba
LV.9
3
2013-09-21 21:50
@rockyy
我其实不明白那两个15欧的电阻有什么用
分二极管正偏和反偏两种情况,分别画出简化图来分析,或许就变得比较容易理解了。
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rockyy
LV.6
4
2013-09-22 20:26
@abccba
分二极管正偏和反偏两种情况,分别画出简化图来分析,或许就变得比较容易理解了。
团长,一般我们RCD中,R就是这个60K 的电阻,C就是500pf的电容,D就是1N4007,那两个15欧的电阻有什么用呢?还希望你能详细讲解一下,谢谢!
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abccba
LV.9
5
2013-09-23 01:23
@rockyy
团长,一般我们RCD中,R就是这个60K的电阻,C就是500pf的电容,D就是1N4007,那两个15欧的电阻有什么用呢?还希望你能详细讲解一下,谢谢!

没看出这两个15Ω电阻的特别作用,找到一个关于RCD的帖子不错,一起学习吧

(2013-9-23-16:00 续)也想过R32.33起限流作用,但是在MOS关断后,漏感的能量通过续流的方式泄放,这个电流大小取决于此前状态的电流。在MOS关断后RCD工作的初始状态,漏感对RCD网络来说相当于恒流源,加了R32.33意图续流,但对恒流源加电阻限流的结果是,不但电流下不来,反倒是电压升高,这使抑制VD尖峰电压打了折扣。

  换个角度想,加R32.33以后,热消耗能量多了一个渠道,而且是在D导通开始,虽说R34.35也是在D导通开始就消耗能量,但二者的阻值相差较大,在D刚导通时段,R32.33所起到作用更显著。在电压达到峰顶之前尽早消耗能量,对降低峰值电压更为有效,因为峰值以后的能量消耗,已经是马后炮,对峰值没有影响了。(边写边想,有点乱,但好像自己有点明白了,只是不知对错)

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roc19850
LV.5
6
2013-09-23 09:53
@rockyy
团长,一般我们RCD中,R就是这个60K的电阻,C就是500pf的电容,D就是1N4007,那两个15欧的电阻有什么用呢?还希望你能详细讲解一下,谢谢!
充放电慢点,对辐射有点作用,但是也不一定,具体要看实际有没有用!
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sinican
LV.8
7
2013-09-23 10:06

R32 R33 R34 R35 都是用于阻尼消耗的

正常情况下,D1 导通时,C12 C10 吸收初级绕组的尖峰电压;D1关断时,R32~R35 是用来消耗 C10 C12 释放的能量

R32 R33 是增加 C10 C12 回路的阻抗,从而减小 C10 C12 及 D1 的电流应力

这里的串接都是防止耐压的问题



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2013-09-23 15:04
@roc19850
充放电慢点,对辐射有点作用,但是也不一定,具体要看实际有没有用!

是的。跟串接在二极管那边。功能也差不多。。。

这个可以从波形图上看得出来。。。

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