根据实验的一些数据和现实中超低压差二极管的一些特性:
我个人认为反激高效IC应该这样设计才能达到最佳配合:
1,低压AC输入时用CCM模式。
2,高压AC输入时,在75%载以下,设计成不连续,75%载以上,设计成准谐振模式,这样所谓MOS工艺的二极管反向尖峰才很低,又不影响效率。
EMI也比较好过,而且频率变化范围也不宽,方便设计,只不过对变压器设计要求高点,但是现在完全可以做到。
3,其他的就是降频,跳频,跟当前高效率的IC一样。
根据实验的一些数据和现实中超低压差二极管的一些特性:
我个人认为反激高效IC应该这样设计才能达到最佳配合:
1,低压AC输入时用CCM模式。
2,高压AC输入时,在75%载以下,设计成不连续,75%载以上,设计成准谐振模式,这样所谓MOS工艺的二极管反向尖峰才很低,又不影响效率。
EMI也比较好过,而且频率变化范围也不宽,方便设计,只不过对变压器设计要求高点,但是现在完全可以做到。
3,其他的就是降频,跳频,跟当前高效率的IC一样。
1,低压AC输入时用CCM模式。
请问CCM比DCM的效率高吗,如果这样,尽可能地用大感量来设计(磁心不饱和)如何?
2,高压AC输入时,在75%载以下,设计成不连续,75%载以上,设计成准谐振模式,这样所谓MOS工艺的二极管反向尖峰才很低,又不影响效率。
请问高压是AC220还是265V,如果是265V,则在220V时满载仍可能在CCM吧,设计成准谐振并保持在一定的输入电压范围内,这得要IC来变频的吧。
EMI也比较好过,而且频率变化范围也不宽,方便设计,只不过对变压器设计要求高点,但是现在完全可以做到。
3,其他的就是降频,跳频,跟当前高效率的IC一样。
关于第二点,所说的,QR本来就是断续的一种,75%前后都是断续了,也应该都是QR模式了?
实验证明:
现在的IC是在轻载做降频处理的,如果你要设计成DCM,则电感量要小,那么在轻载时频率不能降到足够低,则轻载效率不高。电感量低了,不能兼顾高低输入电压的效率。
所以从效率来说,CCM比DCM好,从成本来说DCM要好些,因为在DCM时可以选择稍微小号的变压器。
所谓高压一般按照标准测试的电压230VAC.
在75%的载临界,那么加重一点载不是进入CCM了吗。