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原理图如下:
我的MOS管用的是IR75N75,温度也还是65度多哦
你的Cf1太大了,这个尖峰滤除的时间常数应该远小于开关周期,另外,没有隔离,你搞个光耦完全多次一举呀
该电路Vout+/-以及负载电路部分相对于高压地或Uin电源,会有0-Uin的高频压差,两部分电路的面积都不小,相当于两极天线,会有很大的辐射干扰。你不妨将L1改到MOS的D极与C3的负极之间,这样一来,Vout+/-以及负载电路部分与高压Uin及高压地之间只有直流的压差,即Uin与Vout+等电位。这样是否可以工作?
MOS发热主要是开/关状态不理想,I*V导致。需要检查GD电压、S电流波形,根据波形判断开关状态的实际情况。
图纸以上传,大家都 请看一下,解决了发热问题请说一下怎么解决的。谢谢
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