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3842MOS管温度高怎么解决?

根据论坛上网友weiwst的 

UC3842制作的非常规的开关电源(电源界CBD-A109)

做的电源,36V输入12V输出,现在负载1安时MOS管就到65度了,怎么样可以降低温度呢?

原贴地址:http://bbs.dianyuan.com/topic/1055468

原理图如下:


我的MOS管用的是IR75N75,温度也还是65度多哦

  

全部回复(11)
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2013-09-25 21:50

你的Cf1太大了,这个尖峰滤除的时间常数应该远小于开关周期,另外,没有隔离,你搞个光耦完全多次一举呀

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dzq1980
LV.2
3
2013-09-25 23:46
@rj44444
你的Cf1太大了,这个尖峰滤除的时间常数应该远小于开关周期,另外,没有隔离,你搞个光耦完全多次一举呀
这是浮地,用光耦方便
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abccba
LV.9
4
2013-09-26 00:17
@dzq1980
这是浮地,用光耦方便
 
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btma
LV.8
5
2013-09-26 00:30
图上是IRF540,若是UTC的75N75应该不错,是否是搞错了?还是用了假货了?或者在S极套个磁珠试试?
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dzq1980
LV.2
6
2013-09-26 00:51
@btma
图上是IRF540,若是UTC的75N75应该不错,是否是搞错了?还是用了假货了?或者在S极套个磁珠试试?
明天去试一下,75N75明天也换个厂家的试一下看看
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led公子
LV.9
7
2013-09-26 10:55
你好,可否发份资料给我,1553969978@qq.com
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led公子
LV.9
8
2013-09-26 10:56
@dzq1980
这是浮地,用光耦方便
为什么呢
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abccba
LV.9
9
2013-09-26 11:16
@abccba
[图片] 

该电路Vout+/-以及负载电路部分相对于高压地或Uin电源,会有0-Uin的高频压差,两部分电路的面积都不小,相当于两极天线,会有很大的辐射干扰。你不妨将L1改到MOS的D极与C3的负极之间,这样一来,Vout+/-以及负载电路部分与高压Uin及高压地之间只有直流的压差,即Uin与Vout+等电位。这样是否可以工作?

MOS发热主要是开/关状态不理想,I*V导致。需要检查GD电压、S电流波形,根据波形判断开关状态的实际情况。

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dzq1980
LV.2
10
2013-09-26 20:49
@led公子
你好,可否发份资料给我,1553969978@qq.com

图纸以上传,大家都 请看一下,解决了发热问题请说一下怎么解决的。谢谢

UC3842-48TO12

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dzq1980
LV.2
11
2013-09-26 22:36
@abccba
该电路Vout+/-以及负载电路部分相对于高压地或Uin电源,会有0-Uin的高频压差,两部分电路的面积都不小,相当于两极天线,会有很大的辐射干扰。你不妨将L1改到MOS的D极与C3的负极之间,这样一来,Vout+/-以及负载电路部分与高压Uin及高压地之间只有直流的压差,即Uin与Vout+等电位。这样是否可以工作?MOS发热主要是开/关状态不理想,I*V导致。需要检查GD电压、S电流波形,根据波形判断开关状态的实际情况。
明天测试一下,有结果我会及时反馈。
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2013-09-27 08:44
@dzq1980
这是浮地,用光耦方便
嗯,谢谢,没看仔细。
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