LIS8412非隔离内置MOS方案

特性
 母线电阻供电技术
 新颖的数字电流环路控制技术
 集成变压器感量补偿功能
 集成前沿导通消隐功能（LEB）
 集成频率抖动功能
 超低工作电流（110uA）
 超宽输出电压范围
 芯片欠压和过压保护功能
 逐周期峰值电流保护功能
 输出开路，短路保护功能
 过温保护功能
 优化的恒流精度
 优化的线电压及负载调整率
 优化的电流温度系数
 优化的系统成本
 内置600V高压MOS
 DIP-8封装