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请问全桥mos管驱动为什么会有震荡？

单片机输出的pwm经过rc延时和与非门处理后变成两路带死区的pwm波，

然后送入IR2110，用的是全桥，但是在上DC24V之后，发现每个mos管的驱动波形在该管关闭后经过1us（1us是死去时间），另一个桥臂开通时，会发生震荡，请问各位大虾有什么办法解决吗？现在未引入感性负载，负载就是一个大电阻。

一个桥臂的电路和波形如下：

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zl齐名
LV.1
2
2013-10-30 09:37
用的是全桥，上图只截了半桥，死区的话是硬件上用RC延时做的，在不加DC的时候波形是没什么问题的，没有那个低电平的震荡，但是加上DC之后就有震荡。
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zl齐名
LV.1
3
2013-10-30 09:37
用的是全桥，上图只截了半桥，死区的话是硬件上用RC延时做的，在不加DC的时候波形是没什么问题的，没有那个低电平的震荡，但是加上DC之后就有震荡。
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Constance
4
2013-10-30 14:19
@zl齐名
用的是全桥，上图只截了半桥，死区的话是硬件上用RC延时做的，在不加DC的时候波形是没什么问题的，没有那个低电平的震荡，但是加上DC之后就有震荡。

这是地线上带来的干扰。

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zl齐名
LV.1
5
2013-10-30 14:52
@Constance
这是地线上带来的干扰。
还有个问题问下师长：给IR2110的VCC之类的电源，诸如15V的自举电压和2110的工作电压，这些需要和高压DC共地吗？还有你说底线干扰是指哪块的干扰呢？
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xiashengcheng
LV.7
6
2014-06-12 22:59

G S极要并电阻啊。

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落冻样
LV.1
7
2016-07-19 22:10

楼主解决问题了吗？

死怎么解决的啊，求学习球袋飞，谢谢！

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筱博扬
LV.1
8
2016-07-19 23:09
做过全桥逆变,这个震荡不是探头的干扰.来源于下桥开通瞬间,漏极拉低,耦合到了上桥的寄生电容。所以你的这个震荡才会出现在关闭后1us，因为1us后刚好是下桥开通的时间。
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2249574309
LV.2
9
2016-07-20 21:35
@筱博扬
做过全桥逆变,这个震荡不是探头的干扰.来源于下桥开通瞬间,漏极拉低,耦合到了上桥的寄生电容。所以你的这个震荡才会出现在关闭后1us，因为1us后刚好是下桥开通的时间。
你好，请问怎么解决这个问题哦？
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筱博扬
LV.1
10
2016-07-22 07:03
@2249574309
你好，请问怎么解决这个问题哦？
空载损耗允许，可以加大吸收电路，mos工作温度不高可以加大驱动电阻
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ganju
LV.1
11
2016-09-21 16:16
@筱博扬
做过全桥逆变,这个震荡不是探头的干扰.来源于下桥开通瞬间,漏极拉低,耦合到了上桥的寄生电容。所以你的这个震荡才会出现在关闭后1us，因为1us后刚好是下桥开通的时间。
你好，我现在的驱动波形也遇到这个问题，开通关断时会有低频振荡，你讲的这个漏极拉低耦合上桥寄生电容具体是什么意思呢，可以解释一下吗，谢谢！具体驱动波形如下，可以帮我看看吗

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zhangyiping
LV.9
12
2016-09-21 20:55
@ganju
你好，我现在的驱动波形也遇到这个问题，开通关断时会有低频振荡，你讲的这个漏极拉低耦合上桥寄生电容具体是什么意思呢，可以解释一下吗，谢谢！具体驱动波形如下，可以帮我看看吗[图片]
知道为什么有震荡吗，那个因为取到截止，管子不会马上跟着一起关断，这个就是存储效应延时关断，通常就是1微秒左右，或者0,5-1左右，管子实际导通关断一概延时一点点时间，就出现这种震荡了。
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ganju
LV.1
13
2016-09-21 21:06
@zhangyiping
知道为什么有震荡吗，那个因为取到截止，管子不会马上跟着一起关断，这个就是存储效应延时关断，通常就是1微秒左右，或者0,5-1左右，管子实际导通关断一概延时一点点时间，就出现这种震荡了。
那有什么解决的方法没有，调了很久都没有什么进展，催货又加的很久。
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zhangyiping
LV.9
14
2016-09-21 21:19
@ganju
那有什么解决的方法没有，调了很久都没有什么进展，催货又加的很久。
其实，通常不用解决，而且，这里采用的是硬开关，存在比较高的电压电流变化率，震荡是米勒电容反馈产生驱动信号的震荡一些，如果是软开关就不存在这种现象，这样，把驱动电阻加大，立竿见影，轻了许多，当然，损耗稍微大了一点，有利就存在有弊，看情况，其实，利弊找平衡点，差不多就可以了，无法刚刚好。
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zhangyiping
LV.9
15
2016-09-21 21:24
这样说，最早我认为驱动快好，因为，放大区时间短，但是，漏电感大一些就非常容易爆管，通常放慢一些反而更加安全。太快了还容易爆管。退一步，如果掌握谐振软开关技术就不存在这种情况，问题是许多人不掌握，还是硬开关，可以改善一下。
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ganju
LV.1
16
2016-09-21 21:29
@zhangyiping
其实，通常不用解决，而且，这里采用的是硬开关，存在比较高的电压电流变化率，震荡是米勒电容反馈产生驱动信号的震荡一些，如果是软开关就不存在这种现象，这样，把驱动电阻加大，立竿见影，轻了许多，当然，损耗稍微大了一点，有利就存在有弊，看情况，其实，利弊找平衡点，差不多就可以了，无法刚刚好。

加大了栅极驱动电阻，DS端并联电容也加加大了，没有什么效果，开通和关断的时候出现了很大的尖峰，望大侠不吝赐教。

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ganju
LV.1
17
2016-09-21 21:31
@ganju
加大了栅极驱动电阻，DS端并联电容也加加大了，没有什么效果，开通和关断的时候出现了很大的尖峰，望大侠不吝赐教。[图片]
老师总是让我们改驱动电阻，DS端，GS端电容，母线两端电容，但感觉都没有什么用，可不可以帮我分析一下这些参数到底会有什么影响。
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zhangyiping
LV.9
18
2016-09-21 21:50
@zhangyiping
这样说，最早我认为驱动快好，因为，放大区时间短，但是，漏电感大一些就非常容易爆管，通常放慢一些反而更加安全。太快了还容易爆管。退一步，如果掌握谐振软开关技术就不存在这种情况，问题是许多人不掌握，还是硬开关，可以改善一下。
好像设计频率还是比较低的，我看关系应当不大的，如果减轻，管子增加吸收器，这个不就是降低电压变化率了吗。
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ganju
LV.1
19
2016-09-21 21:58
@zhangyiping
好像设计频率还是比较低的，我看关系应当不大的，如果减轻，管子增加吸收器，这个不就是降低电压变化率了吗。
老师总是让我们改驱动电阻，DS端，GS端电容，母线两端电容，但感觉都没有什么用，可不可以帮我分析一下这些参数到底会有什么影响。
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zhangyiping
LV.9
20
2016-09-21 22:13
@ganju
老师总是让我们改驱动电阻，DS端，GS端电容，母线两端电容，但感觉都没有什么用，可不可以帮我分析一下这些参数到底会有什么影响。
我认为没有什么影响差不多就可以了，圆满难了。是不是要求噪音非常小，软开关就小了，这里硬开关大概就是这样子的把。
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武二狼
LV.4
21
2019-10-26 08:59
我的一样出现震荡了
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