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高压低功耗同步升压控制芯片HB6801

 

 

1HB6801为升压IC,可从3V20V,同频整流,外挂MOS,效率96%,最大电流4A;         2HB6266HB6267都为单节三合一IC,升压+保护+充电,最大电流可做3.5A,同频整流;     3HB6293A为单节充电IC,外挂MOS,最大可做5A,开关型;

4HB6298为单节充电IC,内置MOS,最大可做2A,开关型;

以上请参考,如有问题可随时联系叶小姐13682489879,QQ:1772132376,谢谢!

 

功能特性简述

l         高效率>90%

l         同步NMOSFET整流

l         VCC宽输入范围:3V20V

l         1.5%的输出电压精度

l         高位电流采样

l         空载时低静态电流:60uA

l         内置软启动

l         开关频率750KHz

l         关断电流<8uA

l         PWM峰值电流模控制

l         轻载自动切换Burst模式

l         逻辑控制使能端

l         Cycle-By-Cycle峰值电流限制

l         工作环境温度范围:-40℃~125

l         MSOP-10封装

应用

l         移动电话

l         工业供电

l         通讯硬件

概述

HB6801是一款恒定频率PWM电流模控制,驱动N型功率管的高效同步升压芯片。同步整流提高效率,减小功耗,并且减轻散热要求,所以HB6801可以应用在大功率环境。

3V40V的输入电压支持供电系统和电池的较宽范围应用。根据负载情况的变化自动切换工作模式,在轻载Burst模式下静态电流低至60uA

HB6801内置峰值电流限制和输出过压保护。在EN逻辑控制为低时,芯片电流降至8uA以下。

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