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大功率MOS管和IGBT的电流，电压指标是怎么测量的？

大功率MOS管和IGBT的电流，电压指标是怎么测量的？

那种datasheet上标注工作电流（不是脉冲电流）上百A，电压上百V的大功率MOS管和IGBT，怎么测量这两个指标？

真的给MOS管和IGBT加上那么大的持续电流？比如一个MOS管或IGBT的电流指标是150A，厂家测试的时候就是给信号让MOS管或IGBT持续开通，然后长时间加上一个150A的直流电流？

那不得有个功率很大的电源和一个功率很大的负载才行？

还得加散热片？

测电压的时候就是管子关闭状态加上那么高的电压，不被击穿就OK？

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LV.10

2

2014-01-19 16:26

在不伤害万电表的情况下，只要温度在范围内，可以测

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LV.2

3

2014-01-24 23:57

其实这些参数的测量都是根据一定的条件和一定的测量电路得到的，测试条件一般都会给出，但是测试电路有些不会再datasheet给出。比如Ices，ge短路加Vces时测得的Ic，这个指标用来衡量开关不动作时，额定电压的通电流。测电压VCES是否达标，我遇到过一个例子是ge短路，往c极通电流，测量ce的电压。但是这个测试方法测坏了很多的管子，因为ce是高阻，通往c极的电流控制不好的话，会导致ce之间的电压超过了管子耐压，击穿了。

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4

2014-01-25 09:04

看SOA区就可以。

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LV.2

5

2014-02-07 17:26

具体IGBT的测试方法可参考IGBT测试标准 IEC60747，这里面会讲解IGBT参数的详细测试方法，一般IGBT出厂时都需要进行一些关键参数测试，不过一般都是用脉冲的方式，手册里的实际参数值一般制定的比较保守。

关于IGBT详细参数的解释可参考下面文章：

http://www.igbt8.com/jc/19.html

http://www.igbt8.com/

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LV.10

6

2014-02-08 09:18

@evike

其实这些参数的测量都是根据一定的条件和一定的测量电路得到的，测试条件一般都会给出，但是测试电路有些不会再datasheet给出。比如Ices，ge短路加Vces时测得的Ic，这个指标用来衡量开关不动作时，额定电压的通电流。测电压VCES是否达标，我遇到过一个例子是ge短路，往c极通电流，测量ce的电压。但是这个测试方法测坏了很多的管子，因为ce是高阻，通往c极的电流控制不好的话，会导致ce之间的电压超过了管子耐压，击穿了。

只要不击穿. 什么都好商量

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