首先要知道缓冲电路吸收电容的目的，是为了吸收IGBT的尖峰电压，由于IGBT主回路母排有杂散电感存在，当关断IGBT的时候，集电极-发射极电流会快速下降，电感的特性是电流不能瞬变，会产生感应电动势，形成尖峰电压:[图片]IGBT的开关特性虽然可以调整驱动参数微调，但改变不大，最根本的还是要想办法改善换流回路的杂散电感。详情可参阅文章：IGBT尖峰电压吸收电容http://www.igbt8.com/il/89.html以及IGBT模块低杂散电感叠层母排设计

IGBT发生短路时，描述短路电流的数学表达式如下，这是一个线性方程。它表示，在短路发生时，电流的绝对值与电压，回路中的电感量，及整个过程持续的时间有关系。[图片]绝大部分的短路，母线电压都是在额定点的，影响短路电流的因素主要是“短路回路中的电感量”。因此对短路行为进行分类定义时，短路回路中的电感量是主要的分类依据。如果短路回路中的电感量再继续增大，那么电流变化率就变得更低，此时就不是短路了，变成“过流”了。这时驱动器是察觉不到这种异常状态的，因此在系统中需要电流传感器来感知电流的绝对数值，从而进行“过流保护”。我们认为，通常IGBT驱动器是不能进行过流保护的。二类短路与过流之间没有明显的界限，学术上没有进行定义，在工程上，可以做一个很粗略的假设：10A/us以下的电流变化率视为“过流”。具体可参阅文章：IGBT驱动保护及IGBT模块短路及寄生导通

因为IGBT具有电导调制能力，相对于功率MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。因此可实现更小的芯片尺寸，并降低成本。由于输入是MOS栅结构，需要的驱动功率低，驱动电路简单。相对于电流控制元件（Thyristor,BJT），控制更简单，适合于高电压大电流的应用。较宽安全工作区：在输出特性方面，相对于双极晶体管，IGBT具有优异的电流传导能力。还具有优良的正向和反向电压阻断能力。IGBT相对于MOSFET及BJT的缺点：相对于MOSFET开关速度慢（小于100KHz），但优于BJT。由于少数载流子的原因，集电极会形成拖尾电流，导致较慢的关断速度。可参阅文章http://www.igbt8.com/jc/3.html（IGBT与MOSFET以及BJT的性能对比）及http://www.igbt8.com/jc/2.html（IGBT的构造与工作原理详解）

如果你是要带感性负载是需要带二极管，否则没有续流回路，不过一定要不带二极管，有专门用于斩波的IGBT模块

IPM也是可以满足的啊，现在IPM大功率的可以做到450A了，不过电压有点浪费，额定为1200V。

需要首先了解IGBT或IGBT模块的寄生电容参数：[图片]IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性，芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容Cies及反馈电容Cres是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容Coss限制开关转换过程的dv/dt，Coss造成的损耗一般可以被忽略。[图片]其中：Cies=CGE +CGC：输入电容（输出短路）Coss=CGC +CEC：输出电容（输入短路）Cres=CGC：反馈电容（米勒电容）动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小，如下图所示。[图片]可以看出密勒电容在VCE电压较小时有一个比较大的值，此时VCE的瞬变会通过此电容对IGBT栅极有明显的影响，尤其在半桥电路中有可能造成寄生导通，需要多加注意，实际选型时往往CCE对Cies的比值越小越好。详情请参阅文章http://www.igbt8.com/jc/23.htmlhttp://www.igbt8.com/

protel99有时候会遇到这个问题，可以将文件以PCB的格式输出用DXP或者ALTIUMdesign打开

波形的质量很光滑啊，PCB的布局整齐，就是用的元器件都比较传统www.igbt8.com

具体IGBT的测试方法可参考IGBT测试标准 IEC60747，这里面会讲解IGBT参数的详细测试方法，一般IGBT出厂时都需要进行一些关键参数测试，不过一般都是用脉冲的方式，手册里的实际参数值一般制定的比较保守。关于IGBT详细参数的解释可参考下面文章：http://www.igbt8.com/jc/19.htmlhttp://www.igbt8.com/

ICRM：可重复的集电极峰值电流最大允许的集电极峰值电流（Tj≤150°C），IGBT在短时间内可以超过额定电流。手册里定义为规定的脉冲条件下可重复集电极峰值电流，如下图所示。理论上，如果定义了过电流持续时间，该值可由允许耗散功耗及瞬时热阻Zth计算获得。然而这个理论值并没有考虑到绑定线、母排、电气连接器的限制。因此，数据手册的值相比较理论计算值很低，但是，它是综合考虑功率模块的实际限制规定的安全工作区。[图片][图片]