本贴将详细分析主流IGBT模块规格书中的电气参数，包括IGBT部分、二极管部分及模块级参数，以利于大家更好理解IGBT模块的参数及为以后的设计选型提供依据。
IGBT模块规格书手册详解
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由于内部及外部杂散电感，VCES在IGBT关断的时候最容易被超过。VCES在任何条件下都不允许超出，否则IGBT就有可能被击穿。
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一、IGBT静态参数1.VCES：集电极-发射极阻断电压在可使用的结温范围内栅极-发射极短路状态下，允许的断态集电极-发射极最高电压。手册里VCES是规定在25°C结温条件下，随着结温的降低VCES也会有所降低。降低幅度与温度变化的关系可由下式近似描述：[图片]模块及芯片级的VCES对应安全工作区由下图所示：[图片][图片]由于模块内部杂散电感，模块主端子与辅助端子的电压差值为[图片]由于内部及外部杂散电感，VCES在IGBT关断的时候最容易被超过。VCES在任何条件下都不允许超出，否则IGBT就有可能被击穿。
Ptot：最大允许功耗在Tc=25°C条件下，每个IGBT开关的最大允许功率损耗，及通过结到壳的热阻所允许的最大耗散功率。Ptot可由下面公式获得： 
。
。
Maximum rating for Ptot
二极管所允许的最大功耗可由相同的方法计算获得。
IC nom：集电极直流电流在可使用的结温范围内流过集电极-发射极的最大直流电流。根据最大耗散功率的定义，可以由Ptot的公式计算最大允许集电极电流。因而为了给出一个模块的额定电流，必须指定对应的结和外壳的温度，如下图所示。请注意，没有规定温度条件下的额定电流是没有意义的。
Specified as data code: FF450R17ME3
在上式中Ic及VCEsat @ Ic都是未知量，不过可以在一些迭代中获得。考虑到器件的容差，为了计算集电极额定直流电流，可以用VCEsat的最大值计算。
计算结果一般会高于手册值，所有该参数的值均为整数。该参数仅仅代表IGBT的直流行为，可作为选择IGBT的参考，但不能作为一个衡量标准。
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