IGBT模块的密勒电容影响

需要首先了解IGBT或IGBT模块的寄生电容参数：

IGBT寄生电容是其芯片的内部结构固有的特性，芯片结构及简单的原理图如下图所示。输入电容Cies及反馈电容Cres是衡量栅极驱动电路的根本要素，输出电容Coss限制开关转换过程的dv/dt，Coss造成的损耗一般可以被忽略。

其中：Cies = CGE + CGC：输入电容（输出短路）Coss = CGC + CEC：输出电容（输入短路）Cres = CGC：反馈电容（米勒电容）动态电容随着集电极与发射极电压的增加而减小，如下图所示。

可以看出密勒电容在VCE电压较小时有一个比较大的值，此时VCE的瞬变会通过此电容对IGBT栅极有明显的影响，尤其在半桥电路中有可能造成寄生导通，需要多加注意，实际选型时往往CCE对Cies的比值越小越好。

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