因为IGBT具有电导调制能力，相对于功率MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。因此可实现更小的芯片尺寸，并降低成本。由于输入是MOS栅结构，需要的驱动功率低，驱动电路简单。相对于电流控制元件（Thyristor, BJT），控制更简单，适合于高电压大电流的应用。较宽安全工作区：在输出特性方面，相对于双极晶体管，IGBT具有优异的电流传导能力。还具有优良的正向和反向电压阻断能力。IGBT相对于MOSFET及BJT的缺点：相对于MOSFET开关速度慢（小于100KHz），但优于BJT。由于少数载流子的原因，集电极会形成拖尾电流，导致较慢的关断速度。可参阅文章http://www.igbt8.com/jc/3.html（IGBT与MOSFET以及BJT的性能对比）及http://www.igbt8.com/jc/2.html（IGBT的构造与工作原理详解）
