IGBT与MOSFET及BJT的区别

IGBT 的构造和功率MOSFET 的对比如图 1-1 所示。IGBT 是通过在功率MOSFET 的漏极上追加p+层而构成的，从而具有以下种种特征。

IGBT 的理想等效电路，是对pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS 晶体管。因此，在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，pnp 晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻，从而使pnp 晶体管处于导通状态。此后，使门极—发射极之间的电压为0V 时，首先功率MOSFET 处于断路状态，pnp 晶体管的基极电流被切断，从而处于断路状态。如上所述，IGBT 和功率MOSFET 一样，通过电压信号可以控制开通和关断动作。

如果以 PNP+NPN 来等效 SCR，则 IGBT 可以理解为 负载几近短路的等效SCR，这样的结构就是 闩锁效应 的伏线。