近两年由于PSR线路简单,成本低,所以在充电器,LED驱动应用方面相当流行,每家的PSR工作原理是大同小异的,只是有些参数定义不一定!但有些厂家只是给出计算公式,但对恒流方面,没有真正详细的讲解!对此每个人的理解也会大相径庭。
确实,这种电路在小功率、充电器和LED 驱动上开始流行,具有CC/CV优点,而且省去了光耦降低成本,还有空载降频可节能。但是在省去元件的成本的同时,某些性能也"省去了"!更直接点说,在有些应用场合,某些性能也"省去了"!其实细想想,似乎也是合理且不可避免的。
“每家的PSR工作原理是大同小异的”
针对这个观点,有人是持否定态度的。
我们应用起来感觉大同小异,但是实际里面差别很大,价钱差别也大。有2元多,也有1元多,内部有的是数字的有的是模拟的,表现出来性能上也差很多,比如批量精度上的区别,有的标+-5%,要知道它们所说的+-5%等,说的是电流检测的5%。要知道它们所说的+-5%等,说的是电流检测的5%。即便如此也不一定能做到!
批量精度确实难以控制,对重要的元件有高要求,尤其在批量一致性上更难,尤其是客户要求电流精度高的时候。
但IW 就表现相当好!Iwatt,他们是数字控制方式,与其他是不一样的。但是其它厂家工作在DCM模式的PSR,工作原理是一样的。只是有些参数设定不一样,所以计算变压器时也不一样!
这种电路形式,在低压大电流的恒流情况下效果确实不错,能达到后级使了用恒流电路不能到达的效果!对此有的人深有体会。由于省掉了次级侧的电流检测电阻也有利于提高效率,该电路原理就是利用了IC的CS电压做检测,因此选择sencs脚的电阻阻值比较关键,使电流曲线在规定的电压范围内趋于平坦,当然变压器VCC绕组匝数的确定也是至关重要的。
先写个变压器的基本公式。Np*Ipk=Ns*Ipks(变压器次级只有一个绕组Ns),Np,Ipk,Ns,Ipks分别是初级圈数,初级峰值电流,次级圈数,次级峰值电流。
当原边电压变化时,怎么“遥感”次侧电压呢?TOFF芯片是怎么来控制并保持输出电压稳定的?
下面就讲讲CV操作模式,现在大部分芯片都是直接取样辅助线圈上电压,由于漏感的原因,在MOS关断后,也就是次级二极管导通瞬间,会产生一个尖峰,影响电压采样,为了避开个这个尖峰,大部分厂家都是采用延时采机,也就是在MOS管关断一段时间后再来采样线圈电压。从而避开漏感尖峰。PI是在高压开关关断2.5 μs采样。这种采样方式其实在以前很多芯片上的过压保护上也都有应用,比如OB2203和UCC28600,NCP1377上都有这样的应用,所以可以得到较高精度的过压保护。还有些厂家是在下取样电阻上并一个小容量的电容来实现。建义大家吸收电路使用恢复时间约只有2us的IN4007再串一个百欧左右的电阻作吸收。可以减小漏感产生的振铃,从而减小取样误差。得到较高采样精度。次级圈数固定,辅助绕组固定,取样精度高。比较器内部精度也高,自然可以得到较高的输出电压精度。
1.CV是怎么检测的?
CV检测分三种方式:
a.IC内部加一个延迟时间,检测辅助波形。缺点:要求振铃时间要小,否则不准或出现判断错误(在输出短路测试时)OB采用
b.检测斜率变化的转折点。SG,,IWAIT采用
C.上面两种方式同时采用。
2.PI的部分IC在有一个开关周期的记忆功能(或叫延迟),这样会使PSR电压较准确,但动态会变差。
3.CC的部分,会有一个近似0.5*Lp*Ip平方*fs的运算及输入电压的补偿。
原边反馈的电源,VCC绕组的设计与绕制工艺一直是个难点,需要考虑的问题太多了,希望大家多多讨论,共同提高~~