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反激电路整流二极管的位置对emi有什么影响?

反激电路的输出侧整流二极管,有的放到上面(二极管阴极接到输出正),有的放到下面(二极管样机接到输出地)。

请问这2种接法对EMI有怎样的影响?有谁有这方面的文章或分析请分享下呗。

我只记得PI的AN里说,针对他们的具有专利的屏蔽技术来说,二极管放到下面对EMI有好处。那是不是说,二极管放到不同位置的话,变压器的绕法、Y电容的位置都有不同?

谢谢

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caoyugood
LV.7
2
2014-02-26 08:39
PI的这种说法站不住脚下,在这同的电路二极管的方向影响响不大,最主要的是二极管所处的位置,我之前也试过类似的情况,辐射毫无变化。主要要还是看你Y电容,变压器和吸收的配制了。
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2014-02-26 08:50
對于二極管輸出整流放在那兒都一樣,但輸出如是同步整流,那就放在地比較好些。
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namin
LV.6
4
2014-02-26 10:28
@caoyugood
PI的这种说法站不住脚下,在这同的电路二极管的方向影响响不大,最主要的是二极管所处的位置,我之前也试过类似的情况,辐射毫无变化。主要要还是看你Y电容,变压器和吸收的配制了。
是不是说,在Y电容、变压器、吸收都相同的情况下,只有二极管位置不同,辐射是差不多的?
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sinican
LV.8
5
2014-02-26 10:37

放在下面相对较好一些,直接对于静点,从而削弱了 di/dt dv/dt 的影响

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2014-02-26 13:54
还要看你的布线情况!
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gbfdyx
LV.6
7
2014-02-26 20:02
@chenyingxin7610
對于二極管輸出整流放在那兒都一樣,但輸出如是同步整流,那就放在地比較好些。
同步整流放在下面只是便于驱动吧
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gbfdyx
LV.6
8
2014-02-26 20:03
二级管是串联在回路中的 ,放哪还不是串联?应该影响不大吧
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2014-02-27 12:43
@namin
是不是说,在Y电容、变压器、吸收都相同的情况下,只有二极管位置不同,辐射是差不多的?
不一样
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namin
LV.6
10
2014-02-27 18:24
@gbfdyx
二级管是串联在回路中的,放哪还不是串联?应该影响不大吧
应该会有不同的
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2014-03-05 15:55

记得有谁发过这样的帖子。。。

对EMI会有影响的。。。

一般做法都放在上面。。。

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rockyy
LV.6
12
2014-03-05 17:26
@dxsmail
记得有谁发过这样的帖子。。。对EMI会有影响的。。。一般做法都放在上面。。。

只见过放在上面的,没见过放在下面的,不知道这两者到底有什么不同?求高人解答!

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shenx123
LV.10
13
2014-03-05 17:34
 反激电路设计规范PCB的布局对电源EMI有决定性影响
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hjt415
LV.4
14
2014-03-05 21:45
@gbfdyx
同步整流放在下面只是便于驱动吧
原来是这个原因
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黄燚
LV.7
15
2014-03-07 12:21
@namin
是不是说,在Y电容、变压器、吸收都相同的情况下,只有二极管位置不同,辐射是差不多的?
可以这样认为
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2014-03-17 16:09
@shenx123
 反激电路设计规范PCB的布局对电源的EMI有决定性的影响
对 要看实际情况了不能一概而论.
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hao2985
LV.9
17
2014-03-18 09:41

对EMI会有影响的。。。

一般做法都放在上面。。。

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hao2985
LV.9
18
2014-03-18 10:08
在Y电容、变压器、吸收都相同的情况下,只有二极管位置不同,辐射是差不多的
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2014-03-20 17:19
@hao2985
在Y电容、变压器、吸收都相同的情况下,只有二极管位置不同,辐射是差不多的
有时候不要纠结太多  
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luoyan1980
LV.8
20
2014-03-20 17:23

没听説这种接法差异对EMI有影响。

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luoyan1980
LV.8
21
2014-03-20 17:24
@hao2985
在Y电容、变压器、吸收都相同的情况下,只有二极管位置不同,辐射是差不多的
对EMI影响没有什么依据吧?
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luoyan1980
LV.8
22
2014-03-20 17:25
@hao2985
对EMI会有影响的。。。一般做法都放在上面。。。
有什么理论依据,对EMI会有影响的。 一般做法都放在上面。
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luoyan1980
LV.8
23
2014-03-20 17:25
@wqiangtinker
对要看实际情况了不能一概而论.
应该是影响不大。
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luoyan1980
LV.8
24
2014-03-20 17:26
@shenx123
 反激电路设计规范PCB的布局对电源的EMI有决定性的影响
PCB布局对EMI肯定是有影响。
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luoyan1980
LV.8
25
2014-03-20 17:27
@rockyy
只见过放在上面的,没见过放在下面的,不知道这两者到底有什么不同?求高人解答!
一般同步整流MOS会放下面。
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luoyan1980
LV.8
26
2014-03-20 17:28
@dxsmail
记得有谁发过这样的帖子。。。对EMI会有影响的。。。一般做法都放在上面。。。
肖特基整流大家都是习惯放上面。
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namin
LV.6
27
2014-03-24 08:42
@luoyan1980
没听説这种接法差异对EMI有影响。
我是看 PI 的AN里有这样的描述
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松叶
LV.5
28
2014-08-17 22:20
@namin
我是看PI的AN里有这样的描述

逆变器30M辐射超标严重,?

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hwx-555
LV.8
29
2014-08-18 10:07

没区别,起码没明显区别。

变压器屏蔽与Y电容接法只要EMC好就可以,并没有定式

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2014-08-18 10:16
放在下面的,一般都和同步整流共用。。。
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