下图是一个双向可控硅调光电路：
基本的原理比较简单，通过调节POT1来改变C2的充电时间常数RC，TRIAC的电压导通角度随之而改变.
当R较小时，RC充电常数较小，触发信号的相移较小，负载获得较大功率。
当R较大时，RC充电常数较大，触发信号的相移较大，负载获得较小功率。
我的问题是，如何从理论上来计算这个导通角呢？
根据上图给出的参数，可以计算出：
RC(max)=366000*100*10^-9=36.6ms
RC(min)=33000*100*10^-9=3.3ms
取4个RC之后充电过程结束：
4RC(max)=36.6*4=146.4ms
4RC(min)=3.3*4=13.2ms
导通角就是按照上图这么来看吗？总觉得不对啊！请高手指点！谢谢！
