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推挽正激变换器是怎么抑制推挽变换器的偏磁?

推挽正激是怎么抑制推挽的偏磁的?
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2014-03-18 21:36
大神们,出来解答一下,3Q
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hao2985
LV.9
3
2014-03-19 05:55
@电源网-静静
大神们,出来解答一下,3Q
我也呼吁一下,懂的来解答一下。
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hao2985
LV.9
4
2014-03-24 17:56

怎么没有回答呢?

 

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hao2985
LV.9
5
2014-03-24 19:02
推挽正激是怎么抑制推挽的偏磁的?
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shenx123
LV.10
6
2014-03-24 19:06
我也想知道
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2014-03-24 21:50
想要解决这个问题只能使用软开关技术
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hw865
LV.6
8
2014-03-25 10:42

目前 套件 包括成品机大多都没有偏磁保护措施。

好的变压器绕制工艺pcb布局 mos选型 都可以有效的防止偏磁。论坛上的逆变器都为开环系统,进一步削弱偏磁问题。在实验或者普通使用可以忽略。

从硬件电路上可以实现,使用逐周期限流IC不从在偏磁。或者可以检测管压降来实现保护。

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2014-03-26 15:43
这拓扑很少用吧?从结构上看应该和桥式的要求一样。
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2014-03-27 07:42

推挽正激变换器对偏磁情况的处理:箝位电容C上的电压是浮动的,电容C电压的浮动特性,保证了变压器磁通在同一周期的两个半周期,仍有相等的秒”,抑制了直流偏磁.

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2014-03-27 09:42

我也一直在想怎么能便宜的解决偏磁问题,解决偏磁最好的办法就是用霍尔检测每次的脉冲电流(包括直流分量),然后用芯片控制占空比!但是这个貌似成本会高!其他诸如硬件加上一些改善啊,PCB布局改善啊,对偏磁是有好处的,但是却不能从根本上解决问题!也期待对这方面有研究的高手出来给大家一些指点!

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hw865
LV.6
12
2014-03-27 10:35
@zhang_min9861
我也一直在想怎么能便宜的解决偏磁问题,解决偏磁最好的办法就是用霍尔检测每次的脉冲电流(包括直流分量),然后用芯片控制占空比!但是这个貌似成本会高!其他诸如硬件加上一些改善啊,PCB布局改善啊,对偏磁是有好处的,但是却不能从根本上解决问题!也期待对这方面有研究的高手出来给大家一些指点!
霍尔检测 不如管压降检测。使用电流反馈才是根本解决办法
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hw865
LV.6
13
2014-03-27 10:42
@chenxiangyu1990
推挽正激变换器对偏磁情况的处理:箝位电容C上的电压是浮动的,电容C电压的浮动特性,保证了变压器磁通在同一周期的两个半周期,仍有相等的“伏秒”,抑制了直流偏磁.

能否详细叙述  箝位电容和磁芯伏秒有什么关系?

在全桥或半桥中有隔直电容可以理解。

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2014-03-27 12:15
@hw865
霍尔检测不如管压降检测。使用电流反馈才是根本解决办法

电流反馈是必须的,而且必须要控制直流分量,至于检测方法,我个人还是认为霍尔比管压降可靠!当然具体的检测人云亦云,呵呵!

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msz181818
LV.9
15
2014-03-29 09:11
@shenx123
我也想知道
改用全桥
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hw865
LV.6
16
2014-03-29 15:27
@msz181818
改用全桥
全桥也一样的存在偏磁问题,不要问我为什么ac-dc全桥没问题
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hw865
LV.6
17
2014-03-29 15:33
@zhang_min9861
电流反馈是必须的,而且必须要控制直流分量,至于检测方法,我个人还是认为霍尔比管压降可靠!当然具体的检测人云亦云,呵呵!

目前 没用过霍尔电流传感器。不过前同事在做一个项目是用到过,据说霍尔响应速度 电流精度受到较大的工艺影响

性能高的价格太高。mos管压降检测 受到mos选型换型 不同批次问题影响。

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hw865
LV.6
18
2014-03-29 15:42
@zhang_min9861
我也一直在想怎么能便宜的解决偏磁问题,解决偏磁最好的办法就是用霍尔检测每次的脉冲电流(包括直流分量),然后用芯片控制占空比!但是这个貌似成本会高!其他诸如硬件加上一些改善啊,PCB布局改善啊,对偏磁是有好处的,但是却不能从根本上解决问题!也期待对这方面有研究的高手出来给大家一些指点!

目前推挽结构都是硬开关 ,都做开环控制是为了提高效率 如果要电流反馈 倒不是成本问题 而是势必需要闭环反馈那么效率问题就是一个坎。没有软开关的支持,闭环推挽效率将会大打折扣 或者新的高效方案。

例如uc3524就可以做逐周期电流反馈

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2014-03-30 17:47

推挽变换器电路拓扑的特点是结构对称,应用方便。推挽电路一般用在输入电压较低的中小功率场合。但是这种变换器中的变压器存在偏磁现象。

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2014-03-30 17:48
@chenyingxin7610
推挽变换器电路拓扑的特点是结构对称,应用方便。推挽电路一般用在输入电压较低的中小功率场合。但是这种变换器中的变压器存在偏磁现象。

偏磁严重时会导致变压器磁芯单向饱和,致使初级绕组瞬时过流,损毁功率器件。

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2014-03-30 17:49
@chenyingxin7610
偏磁严重时会导致变压器磁芯单向饱和,致使初级绕组瞬时过流,损毁功率器件。
因此要采取相应的偏磁抑制,措施来保证变压器可靠的工作。
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2014-03-30 17:49
推挽电路中变压器偏磁的抑制方法
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2014-03-30 17:50
@chenyingxin7610
推挽电路中变压器偏磁的抑制方法

变压器偏磁抑制方法,可从主电路和控制电路两方面考虑.

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2014-03-30 17:50
@chenyingxin7610
变压器偏磁抑制方法,可从主电路和控制电路两方面考虑.

①实验中常用的办法是挑选两个开关管特性较一致的配对,并适当增加变压器磁路中的气隙,使之在电路不平衡的状态下,磁通不至于饱和;

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2014-03-30 17:51
@chenyingxin7610
①实验中常用的办法是挑选两个开关管特性较一致的配对,并适当增加变压器磁路中的气隙,使之在电路不平衡的状态下,磁通不至于饱和;

②从控制电路上采用电流型控制芯片,利用其自动平衡伏秒积的特点。

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hao2985
LV.9
26
2014-03-30 17:51
全桥也一样的存在偏磁问题,不要问我为什么ac-dc全桥没问题
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hao2985
LV.9
27
2014-03-30 17:51
@chenyingxin7610
变压器偏磁抑制方法,可从主电路和控制电路两方面考虑.
变压器偏磁抑制方法,可从主电路和控制电路两方面考虑.
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2014-03-30 17:52
@chenyingxin7610
②从控制电路上采用电流型控制芯片,利用其自动平衡伏秒积的特点。

若采用电压型控制芯片SG3525,其优点是只有电压环,波形振幅坡度大,因而噪声小,工作稳定。多模块输出时,低阻抗输出能提供很好的交互控制。缺点是扰动必须转化为输出扰动,才能被电压环反馈,因此系统响应慢。

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hao2985
LV.9
29
2014-03-30 17:52
@hw865
能否详细叙述 箝位电容和磁芯伏秒有什么关系?在全桥或半桥中有隔直电容可以理解。
偏磁严重时会导致变压器磁芯单向饱和,致使初级绕组瞬时过流,损毁功率器件。
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2014-03-30 17:52

要想抑制变压器运行过程中的偏磁现象,主要是从主电路考虑:

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2014-03-30 17:53
@chenyingxin7610
要想抑制变压器运行过程中的偏磁现象,主要是从主电路考虑:

①选择MOSFET作为功率开关器件。VM1,VM2。尽量选择同一批次的功率管。要留有足够的电流裕量,防止电流过大。

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