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开关管d和s端并电容作用是啥

开关管d和s端并电容作用
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wangjiudan
LV.5
2
2014-03-21 12:59
看你是什么电路咯。一般是为了防止开关关断时的浪涌电压。不过这往往用RCD。如果只是并一个电容，电容选择不好可能会产生谐振（仅供参考）
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chenxiangyu1990
LV.8
3
2014-03-21 15:30
有的是为了EMI.
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chenxiangyu1990
LV.8
4
2014-03-21 15:31
@wangjiudan
看你是什么电路咯。一般是为了防止开关关断时的浪涌电压。不过这往往用RCD。如果只是并一个电容，电容选择不好可能会产生谐振（仅供参考）
加了这电容，MOS损耗会大些。
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chenxiangyu1990
LV.8
5
2014-03-21 20:25
@wangjiudan
看你是什么电路咯。一般是为了防止开关关断时的浪涌电压。不过这往往用RCD。如果只是并一个电容，电容选择不好可能会产生谐振（仅供参考）

可以吸收MOS Vds尖峰电压。

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luoyan1980
LV.8
6
2014-03-21 20:27
@chenxiangyu1990
加了这电容，MOS损耗会大些。

开关速度变慢了。

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山东大汉
LV.10
7
2014-03-21 20:28
减少漏极
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luoyan1980
LV.8
8
2014-03-21 20:28
@chenxiangyu1990
可以吸收MOSVds尖峰电压。

不宜加太大。100PF左右就OK.

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luoyan1980
LV.8
9
2014-03-21 20:29
@chenxiangyu1990
有的是为了EMI.
减小了di/dt,EMI变好。
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singer2002
LV.7
10
2014-03-21 20:40
MOS温度高，损耗大，吸收MOS Vds尖峰电压，放颗小电容
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hwx-555
LV.8
11
2014-03-22 14:37
隔低开关管两端的电压突变，进而改善EMI，但由于开关过种变慢了，开关损耗会增大，所以要综合平衡使用。
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luoyan1980
LV.8
12
2014-03-23 15:16
@singer2002
MOS温度高，损耗大，吸收MOSVds尖峰电压，放颗小电容

适当加一点还是可以的。

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luoyan1980
LV.8
13
2014-03-23 15:17
@hwx-555
隔低开关管两端的电压突变，进而改善EMI，但由于开关过种变慢了，开关损耗会增大，所以要综合平衡使用。
説的很对，要综合平衡使用。
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luoyan1980
LV.8
14
2014-03-23 15:18
@山东大汉
减少漏极
降低漏极电压。
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xunda
LV.3
15
2014-03-23 16:27
@luoyan1980
説的很对，要综合平衡使用。
嗯！学习了。
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chenxiangyu1990
LV.8
16
2014-03-23 16:33
@singer2002
MOS温度高，损耗大，吸收MOSVds尖峰电压，放颗小电容
Coss 电容增大，MOS温度高，损耗大，但能吸收MOS Vds尖峰电压，放颗小电容还是可以。
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hao2985
LV.9
17
2014-03-26 22:49
@luoyan1980
降低漏极电压。
一般是为了防止开关关断时的浪涌电压
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hao2985
LV.9
18
2014-03-26 22:49
@chenxiangyu1990
有的是为了EMI.
隔低开关管两端的电压突变，进而改善EMI
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hao2985
LV.9
19
2014-03-26 22:50
@wangjiudan
看你是什么电路咯。一般是为了防止开关关断时的浪涌电压。不过这往往用RCD。如果只是并一个电容，电容选择不好可能会产生谐振（仅供参考）
Coss 电容增大，MOS温度高，损耗大，
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山东大汉
LV.10
20
2014-03-27 00:11
寄生电容
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chenyingxin7610
LV.9
21
2014-03-27 03:56
开关管DS加电容有以下几种作用：
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chenyingxin7610
LV.9
22
2014-03-27 03:58
@chenyingxin7610
开关管DS加电容有以下几种作用：
1，抑制开关管Vds电压。
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chenyingxin7610
LV.9
23
2014-03-27 03:58
@chenyingxin7610
开关管DS加电容有以下几种作用：
2，改善EMI,特别是辐射。
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chenyingxin7610
LV.9
24
2014-03-27 03:59
@chenyingxin7610
开关管DS加电容有以下几种作用：
3，实现软开关。
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wanghaiting
LV.5
25
2014-03-27 08:25
这个电容值一般22-47PF 之间，为了过辐射的用的，加了这个电容，MOS的损耗会增加,并不是RCD
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qinzutaim
26
2014-03-27 08:31
@wanghaiting
这个电容值一般22-47PF之间，为了过辐射的用的，加了这个电容，MOS的损耗会增加,并不是RCD
没错，这电容是过EMI测试用的，会带来损耗，如果能从其他地方改善，最好是不加。
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jxsl
LV.3
27
2014-03-27 08:51
@chenyingxin7610
2，改善EMI,特别是辐射。
恩 知道了
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jxsl
LV.3
28
2014-03-27 08:52
@qinzutaim
没错，这电容是过EMI测试用的，会带来损耗，如果能从其他地方改善，最好是不加。
哦，是这样的啊。。。。学到了 啊
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zvszcs
LV.12
29
2014-03-27 09:12
@qinzutaim
没错，这电容是过EMI测试用的，会带来损耗，如果能从其他地方改善，最好是不加。
楼上正解，对纹波也有好处
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hao2985
LV.9
30
2014-03-27 09:19
吸收MOS Vds尖峰电压。
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飞翔2004
LV.10
31
2014-03-27 16:55
@jxsl
哦，是这样的啊。。。。学到了啊

认证上用的

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