本逆变器基本配置如下:
1.前级功率管:用的是后羿半导体80V大电流系列MOS管,电流等级有140A(HY3408),170A(HY3708),200A(HY4008),现在上机测试的是的HY3708*16,参数为80V170A,内阻为3.8MR(typ).4.5MR(max);
2.前级驱动IC:SG3525+MIC4452
3.变压器:一共4个,每个设计功率1250W,磁芯为PQ50。初级28*0.3mm铜皮3T+3T,次级28*0.15mm铜皮12T。
4.高压整流管:RHRG7560*4;
5.后级功率管:80N60,一共8只IGBT;
6.后级驱动的主芯片:EG8010+IR2110;
7.推挽软开关电路和硬开关电路对比。
这里说明下的是,EG8010用了非官方的接法,已经做到每路驱动都是10MS工作在50HZ方波,10MS工作在SPWM高频载波,这样的好处是可以消除过零点的振荡,还可以做到4路功率管发热和寿命均等。我这种接法的优点是已经不需要另外用4081做死区,死区时间还是由EG8010设置。
先上个板子的图片吧,以后再详细介绍: