一托三T8灯管 MOS IRF840温度过高,请高手指点

你都试过哪些方法?直接用IR2166,集成PFC电路,功率因数达到0.99,我们有现成的方案.fanghua1599@sina.com

谢谢你的回应,现在我主要的目的在于它的成本价,改过磁环圈数,钳位稳压管,输出电感等等,APFC升压电感温度也过高(60度左右),用的是EI28,线径是0.1*20,电感是0.8MH,请指点不胜感激,

IR2166制作,我想不会出现MOS管温度过高,但不知它现在的价位是多少?

你用的是自激式的半侨输出吧?
我想知道你的管子发热时出现在那个阶段,开通/通态/关断损耗?还有就是你的灯输出的拓扑,三并联,或两串一并呢,总之你的问题太笼统了,能否描述的更清楚些

三并联,现我把它做在100W左右,40KHZ,PF=0.994,adht=12%,alcf=1.41  把它装入铁盒内,W会掉至80几W,不知是否正常,以前一直负责开关电源那块,转入不久,还请多指点!

1个多美金吧

把频率降低,,,,,,在20-25KHZ,,,我有做过这样的电路,,,

有散热片吗?输入电压为220Vac吗?ATHD大于10%就不正确,既然考虑成本用磁环驱动,为什么不用双极性管,看来你的电路需要多作调整.E-mail:andyone918@163.com

IRF840的额定功率只有100W左右,稳定后温度在60℃也算正常,
再调整也好不到哪里去.

要节约成本,就改用三极管做吧.效果也许会更好.

还有你的DC电压怎么要升到435V,400V不行吗?

再此感谢各位朋友的指点,mos是用簧片夹于外壳上.DC电压做高一点,我想MOS的承受的电流会少一点,温度会好点.效率会高点,能否指点一下,T8灯管(直径25)的电压,电流需调到多少才属正常.(用HB-5A测到其中一组灯管的电压是102V,电流为0.2A,正常吗?)

  w=102*0.2
   =20.4w*3=60w
而前端所显示的总功率是100W(220V),那它的费损起不是很大,请各位朋友指点...

你说的是灯管电压和灯丝电流吗?

是

我也做過,後面用雙極晶體管2625,磁環4*4*4,溫度還可以.

我估计是你用的磁环的BS比较低的材料,可能在盒子里温度升高(MOSfet)导致磁环更加处于饱和状态,使得过零点的相位提前,从而使HB的频率升高,最后是功率掉下来了.

谢谢各位朋友的指点,现基本搞定,MOS的温度大概在55度(1小时),外壳温度50度以下,装入铁盒的功率在92W左右.

        TKS!

840在90W左右是不会有较高的温升的,关键在与磁环和你的F取值

你如果做3并的话,DC最好做400V,这样效率更高,还有,DC高对MOS管讲电流小得不明显.

有点道理!