今天对反激电路的MOS管驱动电阻进行了小小的试验，跟大家做下分享。
电路示意如下：
其中R1,R2是驱动电阻，当PWM为高的时候，通过R1,R2给栅极充电；当PWM为低时，栅极通过二极管和R1放电。
现象：当R1=100Ω，R2=47Ω时，MOS管温度为132℃，VDSmax=560V；当R1=10Ω，R2=10Ω时，MOS管温度为81.7℃，VDSmax=600V。
结论是：减小MOS管的驱动电阻可以显著降低MOS管温升（实验中降低了约50℃！），但是会使MOS管漏源极电压增大一些。所以MOS管驱动电阻的选择应该是效率（热应力）与VDS（电压应力）折衷的结果。
下面是实际的波形，供参考。
（1）R1=100Ω，R2=47Ω
（2）、R1=10Ω，R2=10Ω
PS：注意两个波形MOS管关断时下降时间的显著变化（测试的时候没设置好，竖向光标显示为频率了，不过仍然可以看出来变化）
最后，欢迎大家一起来讨论~
