请各位帮忙算一个反激变压器
Vin=195-265V Vout=12V 10A 效率=0.8
工作频率132KHZ , 开关管最大占空比Dmax=0.39
我用PI计算软件算出来的值跟我自己算出来的相差很大...一直没去打样
请各位帮个忙~~
跟大神学习,顺便检验下我自己的计算方法是不是合理正确!
请各位帮忙算一个反激变压器
Vin=195-265V Vout=12V 10A 效率=0.8
工作频率132KHZ , 开关管最大占空比Dmax=0.39
我用PI计算软件算出来的值跟我自己算出来的相差很大...一直没去打样
请各位帮个忙~~
跟大神学习,顺便检验下我自己的计算方法是不是合理正确!
反射电压计算:
Vor=Vds-(Vinmin+Vleg+40)
Vds=610V
Vleg=120(漏感产生峰值电压)
Vinmin=276V
Vor=76V
最大占空比:
Dmax=Vor/(Vinmin+Vor)=0.275
初级电感(EE40骨架)
Lp=Vinmin*Vinmin*Dmax*Dmax/(2*Pin*Fs*K)=226uH
参考:http://www.360doc.com/content/13/0605/22/12109864_290771419.shtml
这个公式有什么地方需要注意修改的吗?为什么算出来的跟推荐的相差很多?
我来计算一下,有不同意见的可以提出来讨论。
按DCM模式计算如下:
1、先算匝比n。
Vmos=Vinmax+n(Vo+1)+Vleg+50
如果选择650V的MOS,漏感尖峰为0.3*Vinmax,则:650=265*1.414+n*13+0.3*265*1.414+50,所以n=8.
2、计算最大开关时间Ton
由公式Ton=n(Vo+1)*0.8T/[Vinmin+n(Vo+1)]可得:Ton=0.22T,即占空比D=0.22.
3、计算初级电感
设最低输入电压时的工作频率为60Hz,由公式 Lp=Vinmin*Vinmin*Ton*Ton*效率/2*Po*T可得:Lp=203uH
4、计算输入最大峰值电流
由公式Ipk=Vinmin*Tonmax/Lp可得:Ipk=5A
5、 选择磁芯
由AP公式可计算得到AP=0.433*(1+效率)*Po*10000/效率*Kw*D*Kj*Bm*Krp*f
由于是DCM模式,所以Krp=1,即AP=0.433*1.8*120*10000/0.8*0.4*0.22*500*0.25*1*60*1000=1.8平方厘米,故选择EE40或PQ3230变压器。
6、计算原边匝数
选用PQ3230变压器,由公式Np=Lp*Ipk/Ae*Bm可得:Np=203*5/161*0.25=26Ts
Ns=Np*(Vo+1)*(1-D)/Uinmin*D可得:Vs=5Ts OR 4Ts
7、辅助绕组跟线径自己计算,太多了不想写了。(必须用多股线或者绞线绕制)
3、计算初级电感
设最低输入电压时的工作频率为60Hz,由公式 Lp=Vinmin*Vinmin*Ton*Ton*效率/2*Po*T可得:Lp=203uH
请问,这个最低电压输入的时候的工作频率 60KHZ 是怎么得到的?