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关于mos被击穿问题求救谢谢

关于mos被击穿问题求救谢谢

最近做了一款放大器电源,60v输入,做样品时候一切都正常,可是批量生产是在初步测试时,发现有10%多的不良率都是因为mos管irf640击穿导致然后烧保险, 而且大多数击穿的640的GDS三只脚全部穿掉,有少数高压DS是好的,可是GS被击穿掉了3842的芯片我的驱动电压只有16v很稳定的并且重新换了一个640的管子电源就好了而且是全部都好了回头第二天测试时候又有几台烧掉了换过又好了 640是200v的mos 我最高峰值电压只有180 老化发现不了问题只有测试刚开机时出现的问题 ,电源启动后一切都正常,请问各位高手们帮帮小弟吧

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LV.4

2

2007-03-21 12:27

反激 36w 工作频率高了点在100k的工作频率 3842 工作这么高频率会不会要注意什么地方啊请高手点点

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LV.5

3

2007-03-22 11:43

@qingang1982

反激 36w 工作频率高了点在100k的工作频率3842工作这么高频率会不会要注意什么地方啊请高手点点

可能是在热情况下振荡啦,注意IC 的斜率补偿

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LV.7

4

2007-03-22 12:51

换更高耐压的测试看看还会不会烧

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LV.4

5

2007-03-28 13:22

@dadodo

换更高耐压的测试看看还会不会烧

用仙童的640就没有问题但是据说国内竞争太激烈了所以仙童停产了所以改用 semihour的结果就出问题了

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LV.4

6

2007-03-28 13:28

@motor1

可能是在热情况下振荡啦,注意IC的斜率补偿

不是热击穿在第一次测试的时候一开机结果mos就坏了然后换个新的和保险丝就好了我真是有点怀疑是mos的质量问题现在真的好郁闷啊

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LV.1

7

2007-03-28 16:40

@qingang1982

用仙童的640就没有问题但是据说国内竞争太激烈了所以仙童停产了所以改用semihour的结果就出问题了

**此帖已被管理员删除**

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LV.5

8

2007-03-28 19:20

@motor ma

**此帖已被管理员删除**

初级电感量太小,造成开机或关机瞬间电流过大.或是气隙不够,造成变压器饱合

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LV.4

9

2007-03-31 19:09

@9293641

初级电感量太小,造成开机或关机瞬间电流过大.或是气隙不够,造成变压器饱合

同意,三个管脚短路大多时候是因为过电流了.

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LV.2

10

2007-04-01 16:26

你的电源是不是过流保护和短路保护没做好.

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LV.7

11

2007-04-01 17:07

启动过程中电流太大,导致变压器磁饱和. MOSFET电流太大而损坏. 可能是MOSFET的源极的取样电阻太小.

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LV.4

12

2007-04-01 17:28

@qingang1982

反激 36w 工作频率高了点在100k的工作频率3842工作这么高频率会不会要注意什么地方啊请高手点点

3842 100k的频率不高,是不是你的rcd吸收没有做好
看看漏极波形

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LV.7

13

2007-04-01 21:09

@deep_thought

启动过程中电流太大,导致变压器磁饱和.MOSFET电流太大而损坏.可能是MOSFET的源极的取样电阻太小.

凡用mos输出的电源,除了有严密的保护电路,反馈稳压以外,还要具备软启动,是这样吗?

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LV.5

14

2007-04-01 21:41

@qingang1982

用仙童的640就没有问题但是据说国内竞争太激烈了所以仙童停产了所以改用semihour的结果就出问题了

现在国内市场上假的MOS太多了,我上次用个640,可实际用起来温生比644高了很多,你可以做下温升实验测试如果比你理论计算值要高很多的话,估计80%你的640是假的了

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LV.7

15

2007-04-02 21:24

@wbp001

凡用mos输出的电源,除了有严密的保护电路,反馈稳压以外,还要具备软启动,是这样吗?

软启动也不一定是必需的. 一般用于防止输出过冲(OVERSHOOT).

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