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想法是死区时间由ＲＣ来调整。有两个担心的地方1.ＲＣ充电时，三极管是先进入放大状态，再到饱合，由放大进入饱合的这个时间会多长，因为这阶段给ＭＯＳ管的充电电流不会很大，会造成开启慢2.短路保护时，三极管要退出饱合状态，这个时间又会不会太长，太慢的话，就起不到保护的作用了

想法是通过ＲＣ控制三极管延时开，三极管一打开，ＭＯＳ管栅极充电电流就大了，理论上不会增加开通损耗的，不过ＲＣ的取值可能就一定要取好了。好在输入电压变化不大，对ＲＣ充电时间影响不是很大。己经画板发出打样了，先实验看再说。也不懂仿真什么，只能自己做版实验了。真心感谢两位的回复，发个贴，有人看，没人回，好伤心。另外，想问一下，死区时间设定在多少合适了。频率50Ｋ或100Ｋ，死区时间设为多少ＮＳ好了？有从大侠能给个指导性时间吗？

还是没人回复啊，看来没有人弄这个方案啊。不管了，自己画板，试验一下。也顺便顶下，看后面有没人看到指正

书上有用吗?全部都抄来抄去的,要不就是用很大的磁芯来做例子,都晕死了....

电容接通瞬间相当于短路,两端电压不能产生突变,这可是常识啊.....电源输入加个热敏电阻就是因为这个

这个电路短路速度够快吗?经一510欧,22UF电容RC滤波,这个时间不会太大吗?还有15,16脚的放大器都没有加反馈的,保护时不会产生振荡吗?

自己顶一下,期盼着高手帮忙啊..

自冷还是风冷了,做到1.2-1.5KW频率要到多少了

过大会启到相反的效果...如果有辅助电源的话,驱动最好是采用桥式,不要用推挽式,这样就不可能出现同时导通了.且R8跟R7根本就没有必要要它..它们是个启动电阻,由自激启动转换成它激