反激电源设计经验之谈---原创贴，欢迎指正
(一): 频率
1．阅读所用IC的PDF，最大限频和最少限频是多少，最大输出功率的时候不能
超过最大上限，否则电源工作在不稳定状态，什么波形杂乱，什么波形不规则抖动这些可能跟这个有关系，特别是上限，而且要留一点量。
2．频率和MOS发热量成正比，特别是工作在DCM和CCM模式的MOS，一般如果想要MOS发热量少点，会把Vor设计得比较高如130-150V，这
种情况最好用CRM模式，否则MOS的发热让你很难接受。DCM模式个人认为还是用在小功率50W以下。CCM模式则用在110V的电源比较
好。
(
(二): 电感量与气隙
1．抛开计算公式，只谈经验，为什么电感量和气隙一起说？因为90%做电源的人都拿不到磁芯的资料，在网上下载的资料要么按电感量来说，气隙和跟实际计算不一样，按气隙则电感量不一样。
2．气隙，跟电感量相辅相成，在同一个匝数来说，气隙少，电感量大，磁芯容易饱和，这是不允许发生的。气隙大，电感量少，则漏磁大，变压器发热严重，峰值电流大，MOS发热严重，这会导致整个电路的效率变得很差。所以我们要折中了，匝数确定了，“在没有饱和的情况下”，取0.4-1mm（我一般做120W以下的反激），这样连变压器电感量都不用算了，不过变压器样品回来了还要微调电感量，也就是说气隙，让电源工作效率更高更稳定。还得说明一下，磁芯磁路长度应该跟气隙大小没什么关系，因为磁路长的磁芯，一般为了绕平一层，初级圈数都较多，变压器的磁通量就是△B小了，弥补了变压器饱和的问题，所以一样的EE19(同一截面积)，为什么加长版的功率可以做高点就是这个原因。
(三): 圈数
1．圈数就是匝数，这里有初级匝数、次级匝数、辅助匝数和匝比这几个词，这里我只说初级匝数，因为知道初级匝数和确定了Vor，其它的匝数全部可以算出来。确定VOR就确定了最大占空比.
2．初级匝数计算。。。很遗憾！不能告诉你，公式我忘了。按频率和电感量的经验来说EE13（120-160T）、EE16（120-140T）、EFD20（80-120T）、EFD25（70-100T）、PQ2620（26-36T）、PQ3220（24-32T）。
3．在同一磁芯，同一气隙大小的情况下：匝数多，△B小，功率可以做大点。相反匝数少，△B大，功率做得比较少，磁芯容易饱和。(“在没有饱和的情况下”)
(四): 绕法与线径
1．不谈EMC，只对稳定性而谈。按照绕法可以分为常用的以下三种:
顺绕：初级--次级--辅助 顺绕漏感大，VOR的尖峰高，耦合不好。适合7W以下。
夹层：分三种1:(初级--次级--初级--辅助) 、2:(次级--初级--次级--辅助)次级并联、
3:(次级--初级--次级--辅助)次级串联。夹层绕法相对顺绕来说其它都很好，就是匝
间电容比较大，传导会差一点。其中2适合次级低电压大电流输出，3则相反。
2．线径的选取，会与骨架的线槽宽度有关系，良好的变压器设计应该每组线都刚好满
一层，这样的绕法变压器漏可以做到2-5%，但漏感还跟变压器的匝比有关系，低
出低电压大电流的漏感都会偏大。匝数少，同一功率下线径可以小点没关系，如
80W的电源初级用0.25*2--24T，一点问题都没。
(五): 变压器饱和：电感量，气隙，圈数截中选取，这点就不用谈了。
吴工 QQ:625900708
