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IR2110/TLP250驱动H桥时,驱动芯片的地和功率地(H桥母线地),能够接在一起么?
IR2110/TLP250驱动H桥时,驱动芯片的地和功率地(H桥母线地),能够接在一起么?
我觉得反正都是地应该可以接在一起,但是IR2110已经烧怕了,不敢试了,谢谢各位大神!
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东城立昇
LV.7
2
2014-10-20 20:29
高压地不能跟低压地接在一起不然你没法用一定要采取隔离方式。
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core1106
LV.2
3
2014-11-13 20:49
@东城立昇
高压地不能跟低压地接在一起不然你没法用一定要采取隔离方式。
不是吧 我看EGS002那块小板子的IR2110的地就是和全桥的地接在一起的 我做过实验了 也没错啊
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core1106
LV.2
4
2014-11-13 20:50
@东城立昇
高压地不能跟低压地接在一起不然你没法用一定要采取隔离方式。
求解答
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出谋划策
LV.3
5
2014-11-20 12:25
@core1106
求解答
2110内部芯片上,VSS与COM是通过两个背靠的二极管结构相连的,也就是在电学上是不通的,实际工作中,两者之间可以承受一定的压差的,也可以通过外部连起来。
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yuezh
LV.1
6
2016-09-01 19:09
@出谋划策
2110内部芯片上,VSS与COM是通过两个背靠的二极管结构相连的,也就是在电学上是不通的,实际工作中,两者之间可以承受一定的压差的,也可以通过外部连起来。
参考资料上说 Uss与com端之间可以承受-5v到+5v的电压 但是我的电路中,如果将两端接在一起的话,他们之间的压差超过这个范围,请问怎么解决啊
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廖明
LV.1
7
2017-06-21 14:38
@yuezh
参考资料上说Uss与com端之间可以承受-5v到+5v的电压但是我的电路中,如果将两端接在一起的话,他们之间的压差超过这个范围,请问怎么解决啊
两个地是可以连在一起的。两个地中间可以串个0欧电阻试试。
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