暂无内容
暂无内容
暂无内容
暂无内容
出谋划策:
GaN的使用,关键是通过开关频率的提升,使得相关的被动元件的尺寸得到减小,从而使整个的系统尺寸得到大幅的下降,这才是使用GaN的意义所在。还是往500KHz、1MHz以上的开关频率努力吧。
2020-03-13 11:35 回复
原帖:【我是工程师】(样品出来了,快围观)94%+高效超小体积65W笔记本适配器,上GaN了!!!
出谋划策:
IR2110的拉灌电流能力为2.5A,那两个栅电阻是要承受瞬间大电流的,如果电阻的功率不够,只能被烧的。
2015-05-11 19:50 回复
原帖:用ir2110做LLC,一通电就烧!!!
出谋划策:
两路信号间的死区时间要控制好,通过差分探头来比较输出驱动波形间的死区时间,看看是否留够,否则在高压下瞬间即会被烧穿了
2015-05-11 19:39 回复
原帖:ir2110全桥逆变时的一些问题
出谋划策:
从你的电路图上看到,IR2104的第3脚基本是就是固定接高电平了,为什么没有把这个脚作为使能端来用。如果系统上不需要使能控制的话,也可以用IR2103这颗电路了。
2015-02-27 09:22 回复
原帖:有谁用过ir2104??求教!
出谋划策:
半桥驱动电路也有假货?
2015-02-26 17:26 回复
原帖:有谁用过ir2104??求教!
出谋划策:
可以的。此时VCC与VB直接连一起,也不用自举二极管了。
2015-02-10 12:22 回复
原帖:请教关于ir2125的问题
出谋划策:
把CPU输出的HIN和LIN的波形发出来,相位的时序应与你实际的相符。
2015-02-01 22:35 回复
原帖:用两个IR2110驱动H桥,只有LO出信号,HO不出信号,大家帮忙看看原理图有什么问题? 谢谢。
出谋划策:
建议先把产品手册读懂,明白了工作原理就好整了。LIN是必须要加才行,而且LIN与HIN之间的相位关系要处理好。
2015-02-01 22:24 回复
原帖:用IR2110驱动MOS 可是模拟总是显示错误 求大神指点输出12V 电压
出谋划策:
屹晶公司在电机驱动上开发了不少集成电路,只是象IR2110/3这样的600V高压产品还没开发出来,有点遗憾的。
2014-12-15 23:01 回复
原帖:5000W一体机完成
出谋划策:
所谓独立的隔离电源,是指在VB和VS间放置一个电源,如叠层电池或AA电池组,把电池组正极接VB,把电池组负极接VS,即使原来的自举二极管和自举电容仍连在那,也不会有问题的。这样接起来的电源,才能称为隔离电源!有空请查下你原来的隔离电源接法吧。你很可能把电池组的负极接到VSS或COM上了。 我们设计了与IR2110/3兼容的产品,对这个产品的工作原理和使用条件还是非常清楚的了。
2014-12-14 17:03 回复
原帖:IR2110高端输出高电平不能维持的问题
1
2
3
4
5