小弟我初接触电源,很多不懂,在这里看了一段时间后自己搭了个电路,测试了下波形,好象不太对,请大虾们指点下参数该怎么样啊!!
我是想做两个隔离电源12V转5V和 12V转12V,电流在 2-3A,采用ARM7的硬件PWM控制,电流在
开关部分原理图如下:(还在搭实验板试,暂时还没画正式原理图,将就看吧).
其中RCD部分的C=22nF;R=540 ohm; 变压器为是用铁氧体的那种磁环绕的,磁环直径大概15mm,环形的截面积为3x7=21平方毫米,初级线圈缠了14圈(初级和次级是一起饶的). 限流的电阻为0.5 ohm,开关频率为115KHZ,占空比0.45.
请教以下问题,
1:在这里用这个磁环做变压器是否合理?
2:线圈的圈数是否合理?
3:RCD电路的值该怎么改才合理?
4:我测得MOS管G极上升时间大概为300ns,这样是否太大?
5:上面四个问题在12V转5V的时候又该如何取值?
另外再问个弱智问题:为什么在我的电路中输出电压不能调节呢?无论我如何调节PWM占空比,输出电压还是那么高,
下面的图中示波器显示的电压需要乘以10,即显示0.5V表示实际是5V,并且后面两个图由于信号总有回沟测出的频率是实际的2倍.
下图为目前的电路
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/51/1174491260.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
下图为MOS的G极输入处的波形
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/51/1174490513.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
下图为V1(MOS管D极)测得的电压波形
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/51/1174490605.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
下图为V2(RCD的电路)处测得的电压波形
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='这是一张缩略图,点击可放大。\n按住CTRL,滚动鼠标滚轮可自由缩放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/51/1174490646.jpg?x-oss-process=image/watermark,g_center,image_YXJ0aWNsZS9wdWJsaWMvd2F0ZXJtYXJrLnBuZz94LW9zcy1wcm9jZXNzPWltYWdlL3Jlc2l6ZSxQXzQwCg,t_20');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
最后再次谢谢各位大虾
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【救命啊】请教RCD的参数问题(有电压波形图)[顶到问题解决为止]
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@deep_thought
1.你的磁环是什么材质的铁氧体?锰锌氧化物还是镍锌氧化物,建议用锰锌的.2.你用什么拓扑?反激?把整个电路放上来看看.3.RCD的目的是抑制MOSFET的Vds尖峰,跟漏感,负载等有关.保证Vds在最坏情况下不超过MOSFET规格就可以了.但R太小的坏处是发热厉害损耗大.凭经验,R取4K7,C取4N7看看.
多谢楼上的指点,
1.磁环用的铁氧体
2.OK 我是看到那堆公式就头晕. 因为刚接触,有些参数不知道怎么获得,比如漏感等,不加RCD的时候超过MOS的额定电压很多,加了后好了,但是确实是发热的问题更严重了. 我按照你说的试下看
多谢
下面是这部分的图
输出什么都OK 就是RCD处的波形我看到和别人得到的不一样,另外就是MOS的输入上升沿300ns是否太慢了? 115K的频率变压器这么绕法是否合理?
1.磁环用的铁氧体
2.OK 我是看到那堆公式就头晕. 因为刚接触,有些参数不知道怎么获得,比如漏感等,不加RCD的时候超过MOS的额定电压很多,加了后好了,但是确实是发热的问题更严重了. 我按照你说的试下看
多谢
下面是这部分的图
输出什么都OK 就是RCD处的波形我看到和别人得到的不一样,另外就是MOS的输入上升沿300ns是否太慢了? 115K的频率变压器这么绕法是否合理?
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