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MOS驱动负载 ,MOS发热问题

                 大家好,我现在使用MOS管做的驱动负载电路,当使用电子负载做实验时负载电流加到3A时,MOS管工作一会就会非常热,请问各位高手是什么原因啊?电路如下图所示:

VO_XX为12V, CPU_KZ1为CPU 3.3v控制信号,MOS管为IRF540N,FZ_1+ 为负载负极,负载正极接12V电源,当CPU_KZ1为高时,负载开通,为低,负载关断

先谢谢大家

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2014-08-10 12:38
要看MOS管的耗散功率,电路工作是否正常。按你的接法,一般情况下,不会出现短路情况,所以估计是MOS管内阻过大导致的。
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chunhai
LV.2
3
2014-08-10 12:48
@wuchanghyz
要看MOS管的耗散功率,电路工作是否正常。按你的接法,一般情况下,不会出现短路情况,所以估计是MOS管内阻过大导致的。
那请教兄弟,内阻过大的原因可能是什么造成的呢?
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2014-08-11 14:43
电路设计不合理,R45 10K值太大。我有些便低内阻的MOS 更能胜任这个电路。
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chunhai
LV.2
5
2014-08-11 18:10
@泥腿子混技术
电路设计不合理,R4510K值太大。我有些便低内阻的MOS更能胜任这个电路。
兄弟可以再说详细些么?万分感谢了啊
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btma
LV.8
6
2014-08-11 22:00
MOS要加大散热器,但IRF540N经常有假货,你可测量其工作时的压降,建议更换MOS管。
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chunhai
LV.2
7
2014-08-12 07:31
@btma
MOS要加大散热器,但IRF540N经常有假货,你可测量其工作时的压降,建议更换MOS管。
我现在是没加散热器测的,测量哪两端的压降确定是否假货啊?还有用哪个代替IRF540性价比号呢?谢谢
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btma
LV.8
8
2014-08-12 14:06
@chunhai
我现在是没加散热器测的,测量哪两端的压降确定是否假货啊?还有用哪个代替IRF540性价比号呢?谢谢

没加散热器是要热,必须加。测DS压降。替代比如75N75.

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