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关于去耦电容旁路电容的容值对于电源驱动的影响

现在调试一款电源,基于2153加图腾芯片UCC27519驱动mos管半桥式电源,开关频率为20kHz,UCC27519的VDD与地之间的电容值为1UF与1nF并联使用,贴片电容。电源输出电压为20kV,为防止拉弧现象出现,设计了放电保护电路,现在问题是在放电保护过程中(长时间放电保护测试),UCC27519芯片很容易损坏,不同的去耦电容组合损坏的时间不一样,如1uF与1UF,放电2小时损坏,1uF与1nF 放电2天会坏,我知道小电容高频阻抗低,很容易滤除一定频率下的高频信号,求高手给点电容匹配的建议。谢谢

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zl1026542
LV.2
2
2014-09-10 10:19
自己顶,别沉了
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