下一代高功率密度电源的效率现在能达到什么水平？
下一代高功率密度电源的效率
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@ybw123
具有典型效率高达90%的一流功率密度和低漏电水平。
提高功率密度无非是要提高开关频率使体积变小。
硅高压半导体的物理特性决定了频率，一般400V以上的器件超过200KHZ的频率，管子发热很严重，损耗会成倍的加大。
新型材料氮化镓MOSFET可以解决这问题。 氮化镓材料适合高频，600V以上的器件可以工作在1M以上。几百K是很简单的事。同时高频后并不会带来多少额外的损耗。
下图表示了硅，碳化硅，氮化镓三者的高频，与损耗关系。可以看出，氮化镓有明显的高频优势。
氮化镓可以做到1M HZ的开关频率的LLC，1000W的电源可以做到10cm *10cm.效率必须要高，否
则热的问题无法解决。
这么多年来，我们的电子技术发展基本上还是那几个拓扑，但器件的发展可以为电源带来质的变化。
更多请看资料。
可以很好地应用在LLC电源，PFC电路，半桥，全桥电路上。逆变电源。。。。
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