做了一个30W的机。手上调试没问题到客户手上炸了六个。都是一开机就炸。全部没有短路。 坏的零件都是MOS周围的。现考虑到是不是驱动电阻用的太大。芯片驱动电压是25V 25-4等于21V , 21除以0.1等于210R (MOS电流100mA) .所以驱动电阻最大是210R . 这样驱动能力不够。导致MOS击穿。不知道这样对不对。DX们是这样分析的。还是?求解
做了一个30W的机。手上调试没问题到客户手上炸了六个。都是一开机就炸。全部没有短路。 坏的零件都是MOS周围的。现考虑到是不是驱动电阻用的太大。芯片驱动电压是25V 25-4等于21V , 21除以0.1等于210R (MOS电流100mA) .所以驱动电阻最大是210R . 这样驱动能力不够。导致MOS击穿。不知道这样对不对。DX们是这样分析的。还是?求解