新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变，可以跑高频，发热量超级低。
氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。
氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓体内的寄生电容比COOL-MOSFET小很多，从而使得它在古墓关电路工作的电路中开关及续流损耗大大降低。
而体内较低的Coss电容也使得他在软开关DCM，或CRM时死区的损耗降到最小。下图是氮化镓MOSFET与COOL-MOSFET的一对比。
或从这里下载-
http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
黄色是氮化镓MOSFET，从对比中可以看出性能远胜COOL-MOSFET.
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下面这图可以看出氮化镓在与硅材料的MOSFET或COOL-MOSFET在硬开关电路上的波形，损耗区别。很明显。
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所以采用氮化镓MOSFET TPH3002PS TPH3002LD来设计的功率电源可以做到高效率。 同时氮化镓可以走高频，
通常的逆变器一般在几十K频率，采用氮化镓MOSFET TPH3002PS, 或PTH3006PS, TPH3002LD,可以轻松达到
100K以上的开关频率，使逆变器产品体积大大减小，同时效率也大大提高，省出不少其它的费用。
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