98%以上效率逆变器电源设计

逆变电源，通常受到硅器件的限制，不能跑高频，一旦频率高了，硅器件发热很大。

所以一般做的都是在100K以下，很多则是在20K左右/IGBT

传统的MOSFET是半导体硅做的，而硅MOSFET在高压600V的时候，工作频率不能跑高，跑得太高使得管子发热很严重。这是硅材料的物理特性决定的。新的材料-氮化镓MOSFET将为我们解决这问题，这种材料的MOSFET现在被各大厂商在开发中，INFINEON, ST, SHARP.ROHM,IR等均有相对应的产品将问世，这一趋式无法改变。氮化镓有如下好处，1，可以跑高频，100K---10M开关频率（同时高频后并不会像硅MOSFET那样带来过多的热问题）2，氮化镓材质的MOSFET体内寄生电容很小，米勒电容也很小。所以开关损耗会很小3，氮化镓MOSFET体内没有像硅MOSFET的寄生二极管，但电流可以从S流向D，通过自身的电子层导通，因为没有恢复损耗的问题。

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新的的半导体材料氮化镓将给我们生活带来质的改变，可以跑高频，发热量超级低。氮化镓材料的结温可以达到300度，而硅材料只能150度。氮化镓MOSFET体内没有寄生二极管，但电流可以从S流到D，没有恢复的损耗。而氮化镓体内的寄生电容比COOL-MOSFET小很多，从而使得它在古墓关电路工作的电路中开关及续流损耗大大降低。而体内较低的Coss电容也使得他在软开关DCM，或CRM时死区的损耗降到最小。下图是氮化镓MOSFET与COOL-MOSFET的一对比。